[发明专利]硅锗合金薄膜材料的制备方法有效
| 申请号： | 201010301123.0 | 申请日： | 2010-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN101880901A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 李垚;辛伍红;赵九蓬;孟祥东;刘昕 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C25D3/56 | 分类号： | C25D3/56 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 硅锗合金薄膜材料的制备方法，它属于硅锗合金薄膜领域。本发明解决了现有工艺制备硅锗合金薄膜存在设备造价高、操作条件苛刻及使用氢气使安全系数降低的问题。本发明方法如下：一、基片依次用丙酮、甲醇和超纯水超声清洗，然后自然晾干；二、配制电解液；三、采用三电极法进行电沉积，即在基片表面获得硅锗合金薄膜材料。本发明采用三电极法进行电沉积，所需设备造价低，方法简单，容易操作，反应无需使用氢气，提高生产的安全系数。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
硅锗合金薄膜材料的制备方法，其特征在于硅锗合金薄膜材料的制备方法是按下述步骤进行的：一、基片依次用丙酮、甲醇和超纯水超声清洗，每次超声清洗时间为20～30min，然后自然晾干；二、将水体积含量低于2ppm的离子液体、纯度为99.999％(质量)的GeCl4和纯度为99.999％(质量)的SiCl4混合，配制电解液，其中电解液中GeCl4浓度为0.1～0.5mol/L，SiCl4浓度为0.1～0.5mol/L，使用前在H2O和O2的质量含量均低于2ppm环境下静置至少24h；三、以经步骤一处理的基片作为工作电极，纯度为99.999％(质量)的铂丝作为对电极，纯度为99.999％(质量)的银丝作为参比电极，在步骤二配制的电解液中采用三电极法进行电沉积，沉积电位为电沉积前用CV曲线扫描获得的还原电位，沉积时间为0.5～4h，即在基片表面获得硅锗合金薄膜材料。
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