[发明专利]基于反激变换器型的开关管互补谐振驱动电路无效
| 申请号： | 201010301094.8 | 申请日： | 2010-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101826799A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 郭晓君;林维明;李镇福 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H02M3/335 | 分类号： | H02M3/335 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省闽侯*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于反激变换器型的开关管互补谐振驱动电路，包括变压器T1，控制MOSFET管S1，控制MOSFET管S2，控制MOSFET管S3，二极管D1，二极管D2，二极管D3，供电电源Vc1，供电电源Vc2，功率MOSFET管Q1和功率MOSFET管Q2，其特征在于：所述变压器T1将两个功率MOSFET管Q1和Q2的驱动能量互相传递以驱动这两个功率MOSFET管，控制MOSFET管S1和二极管D1、D2、D3将功率MOSFET管Q1和Q2驱动电压箝位到一定值。本发明可以驱动任意组合的一对互补工作的功率MOSFET开关管，驱动效率高，驱动速度快，器件少，控制简单，具有较好的使用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 激变 换器型 开关 互补 谐振 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种基于反激变换器型的开关管互补谐振驱动电路，包括变压器T1，控制MOSFET管S1，控制MOSFET管S2，控制MOSFET管S3，二极管D1，二极管D2，二极管D3，供电电源Vc1，供电电源Vc2，功率MOSFET管Q1和功率MOSFET管Q2，其特征在于：所述变压器T1将两个功率MOSFET管Q1和Q2的驱动能量互相传递以驱动这两个功率MOSFET管，控制MOSFET管S1和二极管D1、D2、D3将功率MOSFET管Q1和Q2的驱动电压箝位到一定值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州大学，未经福州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010301094.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于低密度校验码的中继协作传输方法
- 下一篇：在设备之间共享信息
