[发明专利]具有金属栅极的晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201010299253.5 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102437118A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 王彦鹏;林俊贤;叶秋显;简金城;杨建伦 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有金属栅极的晶体管的制作方法。首先提供基底，该基底上定义有第一晶体管区与第二晶体管区，然后形成第一金属氧化物半导体晶体管于第一晶体管区以及第二金属氧化物半导体晶体管于第二晶体管区，其中第一金属氧化物半导体晶体管具有第一虚置栅极且第二金属氧化物半导体晶体管具有第二虚置栅极。接着形成图案化的硬掩模于第二金属氧化物半导体晶体管上，且该硬掩模包含至少一种金属原子，然后利用该图案化的硬掩模去除第一金属氧化物半导体晶体管的第一虚置栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 栅极 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种制作具有金属栅极的晶体管的方法，包含有下列步骤：提供基底，该基底上定义有第一晶体管区与第二晶体管区；形成第一金属氧化物半导体晶体管于该第一晶体管区以及第二金属氧化物半导体晶体管于该第二晶体管区，其中该第一金属氧化物半导体晶体管具有第一虚置栅极且该第二金属氧化物半导体晶体管具有第二虚置栅极；形成图案化的硬掩模于该第二金属氧化物半导体晶体管上，且该硬掩模包含至少一种金属原子；以及利用该图案化的硬掩模去除该第一金属氧化物半导体晶体管的该第一虚置栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
