[发明专利]具有金属栅极的晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种制作具有金属栅极的晶体管的方法，包含有下列步骤：

提供基底，该基底上定义有第一晶体管区与第二晶体管区；

形成第一金属氧化物半导体晶体管于该第一晶体管区以及第二金属氧化物半导体晶体管于该第二晶体管区，其中该第一金属氧化物半导体晶体管具有第一虚置栅极且该第二金属氧化物半导体晶体管具有第二虚置栅极；

形成图案化的硬掩模于该第二金属氧化物半导体晶体管上，且该硬掩模包含至少一种金属原子；以及

利用该图案化的硬掩模去除该第一金属氧化物半导体晶体管的该第一虚置栅极。

2.如权利要求1所述的方法，其中该图案化的硬掩模选自氮化钛、钛、钽、氮化钽及氮化铝钛。

3.如权利要求1所述的方法，另包含利用干蚀刻工艺来去除该第一虚置栅极。

4.如权利要求1所述的方法，另包含利用湿蚀刻工艺来去除该第一虚置栅极。

5.如权利要求1所述的方法，其中形成该图案化的硬掩模之后另包含形成有机层于该硬掩模表面。

6.如权利要求5所述的方法，另包含于去除该第一虚置栅极前去除该有机层。

7.如权利要求5所述的方法，另包含于去除该第一虚置栅极后去除该有机层。

8.如权利要求5所述的方法，其中形成该有机层之前另包含形成阻挡层于该图案化的硬掩模表面。

9.如权利要求8所述的方法，其中该阻挡层包含非晶碳层或底抗反射层。

10.一种制作具有金属栅极的晶体管的方法，包含有下列步骤：

提供基底，该基底上定义有第一晶体管区与第二晶体管区；

形成第一金属氧化物半导体晶体管于该第一晶体管区以及第二金属氧化物半导体晶体管于该第二晶体管区，其中该第一金属氧化物半导体晶体管具有第一虚置栅极且该第二金属氧化物半导体晶体管具有第二虚置栅极；

对该第二金属氧化物半导体的该第二虚置栅极进行表面处理，以使该第二虚置栅极表面形成硬掩模；以及

利用该硬掩模去除该第一金属氧化物半导体晶体管的该第一虚置栅极。

11.如权利要求10所述的方法，其中该表面处理包含氧化步骤且该硬掩模为氧化硅硬掩模。

12.如权利要求10所述的方法，其中该表面处理包含氮化步骤且该硬掩模为氮化硅硬掩模。

13.如权利要求11所述的方法，另包含利用干式等离子体处理工艺以进行该氧化步骤。

14.如权利要求12所述的方法，另包含利用干式等离子体处理工艺以进行该氮化步骤。

15.如权利要求11所述的方法，另包含利用热处理工艺以进行该氧化步骤。

16.如权利要求12所述的方法，另包含利用热处理工艺以进行该氮化步骤。

17.如权利要求11所述的方法，另包含利用湿式化学处理工艺来进行该氧化步骤。

18.如权利要求12所述的方法，另包含利用湿式化学处理工艺来进行该氮化步骤。

19.如权利要求10所述的方法，其中该表面处理包含离子注入步骤。

20.如权利要求19所述的方法，其中该离子注入步骤包含注入硼离子以改变该第二虚置栅极表面为低蚀刻率性质。