[发明专利]半导体发光二极管

摘要

本发明提供一种半导体发光二极管，包括，生长衬底、半导体外延层、电流扩展层、绝缘层、电极；其中，电极包括金属电极和打线焊盘，金属电极和打线焊盘电连接；半导体外延层形成在生长衬底上，电流扩展层形成在半导体外延层上；在电流扩展层的预定部分上，形成微结构，绝缘层形成在该微结构上，打线焊盘形成在绝缘层上，金属电极形成在电流扩展层上。绝缘层的形状和尺寸与打线焊盘基本上相同。绝缘层的表面具有微结构，打线焊盘形成在该微结构上。在电流扩展层的预定部分上，形成微结构，金属电极形成在电流扩展层的具有微结构的部分上。在半导体外延层的预定位置上，形成微结构，一电流阻挡层形成在该微结构上。电流阻挡层的表面上，形成微结构。

主权项

一种半导体发光二极管，其特征在于，所述的半导体发光二极管包括，生长衬底、半导体外延层、电流扩展层、绝缘层、电极；其中，电极包括金属电极和打线焊盘；所述的半导体外延层形成在所述的生长衬底上，所述的电流扩展层形成在所述的半导体外延层上；其特征在于，在所述的电流扩展层的预定部分上，形成微结构，所述的绝缘层形成在所述的电流扩展层的具有所述的微结构的部分上；所述的金属电极和所述的打线焊盘电连接，所述的打线焊盘形成在所述的绝缘层上，所述的金属电极形成在所述的电流扩展层上。