[发明专利]半导体发光二极管

权利要求书

1.一种半导体发光二极管，其特征在于，所述的半导体发光二极管包括，生长衬底、半导体外延层、电流扩展层、绝缘层、电极；其中，电极包括金属电极和打线焊盘；所述的半导体外延层形成在所述的生长衬底上，所述的电流扩展层形成在所述的半导体外延层上；其特征在于，在所述的电流扩展层的预定部分上，形成微结构，所述的绝缘层形成在所述的电流扩展层的具有所述的微结构的部分上；所述的金属电极和所述的打线焊盘电连接，所述的打线焊盘形成在所述的绝缘层上，所述的金属电极形成在所述的电流扩展层上。

2.根据权利要求1的半导体发光二极管，其特征在于，所述的绝缘层的形状和尺寸与所述的打线焊盘相同。

3.根据权利要求1的半导体发光二极管，其特征在于，所述的绝缘层的表面具有微结构；所述的打线焊盘形成在所述的绝缘层的具有所述的微结构的部分上。

4.根据权利要求1的半导体发光二极管，其特征在于，在所述的电流扩展层的预定部分上，形成微结构，所述的金属电极形成在所述的电流扩展层的具有所述的微结构的部分上。

5.根据权利要求1的半导体发光二极管，其特征在于，一电流阻挡层形成在所述的半导体外延层与所述的电流扩展层之间的预定位置；其中，所述的半导体外延层的预定位置上，形成微结构，所述的电流阻挡层形成在所述的半导体外延层的具有所述的微结构的部分上。

6.根据权利要求5的半导体发光二极管，其特征在于，所述的电流阻挡层的表面上，形成微结构。

7.根据权利要求1或权利要求3或权利要求4或权利要求5或权利要求6的半导体发光二极管，其特征在于，所述的微结构包括从表面向上突起的金字塔阵列结构、圆锥阵列结构、圆柱阵列结构、部分球体阵列结构、多面体锥型阵列结构、不规则尖型阵列结构，从表面向下凹进去的金字塔阵列结构、圆锥阵列结构、圆柱阵列结构、部分球体阵列结构、多面体锥型阵列结构、不规则尖型阵列结构；微结构的顶部或底部是尖的，或是圆弧面，或是平面。

8.一种半导体发光二极管，其特征在于，所述的半导体发光二极管包括，生长衬底、半导体外延层、电流阻挡层、电流扩展层、电极；其中，电极包括金属电极和打线焊盘；所述的半导体外延层形成在所述的生长衬底上，所述的电流阻挡层形成在所述的半导体外延层上，所述的电流扩展层形成在所述的电流阻挡层上；其特征在于，在所述的半导体外延层的预定部分上，形成微结构，所述的电流阻挡层形成在所述的半导体外延层的具有所述的微结构的部分上；所述的金属电极和所述的打线焊盘电连接，所述的打线焊盘和所述的金属电极形成在所述的电流扩展层上。

9.根据权利要求8的半导体发光二极管，其特征在于，所述的电流阻挡层的表面形成微结构。

10.根据权利要求8的半导体发光二极管，其特征在于，所述的电流扩展层的预定部分上，形成微结构，所述的打线焊盘形成在所述的电流扩展层的具有所述的微结构的部分上。

11.根据权利要求8或权利要求9或权利要求10的半导体发光二极管，其特征在于，所述的微结构包括从表面向上突起的金字塔阵列结构、圆锥阵列结构、圆柱阵列结构、部分球体阵列结构、多面体锥型阵列结构、不规则尖型阵列结构，从表面向下凹进去的金字塔阵列结构、圆锥阵列结构、圆柱阵列结构、部分球体阵列结构、多面体锥型阵列结构、不规则尖型阵列结构；微结构的顶部或底部是尖的，或是圆弧面，或是平面。

12.根据权利要求1或权利要求8的半导体发光二极管，其特征在于，所述的半导体外延层包括，氮化镓基半导体外延层、磷化镓基半导体外延层、氮磷镓基半导体外延层、氧化锌基半导体外延层。