[发明专利]直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂有效
| 申请号： | 201010292543.7 | 申请日： | 2010-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102409401A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 江国庆 | 申请（专利权）人： | 江国庆 |
| 主分类号： | C30B27/02 | 分类号： | C30B27/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 金华科源专利事务所有限公司 33103 | 代理人： | 毛东明 |
| 地址： | 324000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂。屈半导体分离技术领域，单晶炉直拉式生产单晶硅棒(碇)过程中会存有多种杂质，其中氧是直拉法生长单晶硅中的主要杂质，由于氧的存在严重影响单晶硅的品质，本发明采用在高纯度的氩气中加入微量的氮气，用它们的混合气体来作保护气体，以去除直拉法生长单晶硅过程中的氧，氮-氩混合气体使炉内保持低压、惰性气氛，促使SiO的蒸发，随着SiO的蒸发量增大而降低硅熔体中的氧含量，加大混合气体的流速，能使反应气体、反应粉末和反应液体迅速排出单晶炉；本发明主要应用于直拉法生长单晶硅中的除杂，它效果好，提高了硅单晶的品质，达到高质量的单晶的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 直拉法 生长 单晶硅 利用 混合气体 | ||
【主权项】：
直拉法生长单晶硅中利用氮‑氩混合气体除杂，其特征是在高纯氩气中(氩气纯度为＞99.999％)加入微量的氮气(氮气纯度为＞99.99％)，氮气和氩气混合的质量比为3∶10的混合气体作为保护气体，氮‑氩混合气体的气压保持在0.20～0.3Mpa，氮‑氩混合气体进入单晶炉的流量为：15L/min～25L/min。
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