[发明专利]流体处理结构、光刻设备和器件制造方法有效

专利信息
申请号: 201010292381.7 申请日: 2010-09-25
公开(公告)号: CN102023495A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: M·瑞鹏;N·R·凯姆波;J·C·H·缪尔肯斯;R·H·M·考蒂;R·J·梅杰尔斯;F·伊凡吉里斯塔 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/027
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明公开了一种流体处理结构、光刻设备和器件制造方法。所述流体处理结构被设置用于光刻设备,所述流体处理结构在包含浸没流体的空间与在所述流体处理结构外部的部位之间的边界上具有:布置在第一线中的多个开口、具有在第二线中的孔的第一气刀装置、在第三线中的一个或更多的开口以及具有在第四线中的孔的第二气刀装置。
搜索关键词: 流体 处理 结构 光刻 设备 器件 制造 方法
【主权项】:
一种用于光刻设备的流体处理结构,所述流体处理结构在从被配置以包含浸没流体的空间至在所述流体处理结构外部的部位的边界上依次具有:布置在第一线中的细长开口或多个开口,其在使用中被引导朝向衬底和/或被配置成支撑所述衬底的衬底台;第一气刀装置,所述第一气刀装置具有在第二线中的细长孔;在第三线中的细长开口或多个开口;和第二气刀装置,所述第二气刀装置具有在第四线中的细长孔。
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