[发明专利]流体处理结构、光刻设备和器件制造方法

权利要求书

1.一种用于光刻设备的流体处理结构，所述流体处理结构在从被配置以包含浸没流体的空间至在所述流体处理结构外部的部位的边界上依次具有：

布置在第一线中的细长开口或多个开口，其在使用中被引导朝向衬底和/或被配置成支撑所述衬底的衬底台；

第一气刀装置，所述第一气刀装置具有在第二线中的细长孔；

在第三线中的细长开口或多个开口；和

第二气刀装置，所述第二气刀装置具有在第四线中的细长孔。

2.根据权利要求1所述的用于光刻设备的流体处理结构，其中在所述第一线中的所述细长开口或所述多个开口中的至少一个开口和在所述第三线中的所述细长开口或所述多个开口中的至少一个开口是气体和/或液体进入到流体处理结构中的入口。

3.根据权利要求2所述的用于光刻设备的流体处理结构，其中在所述第一线中的细长开口或所述多个开口中的至少一个开口在使用中被连接至负压源，且所述流体处理结构还包括连接至或可连接至所述负压源的控制器，所述控制器被配置成控制所述负压源，使得通过所述第一线中的细长开口或所述多个开口中的至少一个开口进入到所述流体处理结构中的气体流量大于或等于从用以形成所述气刀的所述第二线中的孔流出的气体流量。

4.根据权利要求2或3所述的用于光刻设备的流体处理结构，其中所述第三线中的细长开口或所述多个开口中的至少一个开口在使用中连接至负压源，且所述流体处理结构还包括连接至或可连接至所述负压源的控制器，所述控制器被配置成控制所述负压源，使得通过所述第三线中的细长开口或所述多个开口中的至少一个开口的气体流量大于或等于从用以形成所述气刀的所述第四线中的孔流出的气体流量。

5.根据前述权利要求中任一项所述的用于光刻设备的流体处理结构，其中所述第二线和第四线中的孔在使用中连接至气体供给装置，且所述流体处理结构还包括被连接至或可连接至所述气体供给装置的控制器，所述控制器被配置成控制所述气体供给装置，使得从用以形成所述气刀的所述第四线中的孔流出的气体流量大于从用以形成所述气刀的所述第二线中的孔流出的气体流量。

6.根据前述权利要求中任一项所述的用于光刻设备的流体处理结构，所述流体处理结构包括下表面，所述下表面在使用中通常平行于所述衬底和/或所述衬底台的上表面，所述第一线至所述第四线中的开口和孔形成在所述下表面中。

7.根据权利要求6所述的用于光刻设备的流体处理结构，其中在使用中，邻近所述第一线中的所述细长开口或多个开口的所述下表面中的区域与所述衬底和/或所述衬底台的上表面的间隔大于邻近所述第四线中的孔的下表面中的区域与所述衬底和/或所述衬底台的上表面的间隔。

8.根据权利要求6或7所述的用于光刻设备的流体处理结构，其中所述流体处理结构包括在所述下表面中的凹陷，所述凹陷被布置在所述第二线和所述第三线之间的第五线中。

9.根据权利要求8所述的用于光刻设备的流体处理结构，其中所述凹陷包括通过气体导管连接至所述流体处理结构的外部的部位的至少一个开口。

10.根据权利要求6至9中的任一项所述的用于光刻设备的流体处理结构，其中所述流体处理结构的下表面在所述第二线中的孔与所述第三线中的所述细长开口或多个开口之间是连续的，和/或所述流体处理结构的下表面在所述第二线中的孔和所述凹陷之间是连续的而没有开口或孔，和/或所述流体处理结构的下表面在所述第三线的所述细长开口或多个开口与所述凹陷之间是连续的而没有开口或孔。

11.根据权利要求1至7中任一项所述的用于光刻设备的流体处理结构，还包括在所述第二线和所述第三线之间布置的至少一个开口，所述开口通过气体导管连接至在所述流体处理结构外部的部位。

12.根据前述权利要求中任一项所述的用于光刻设备的流体处理结构，所述流体处理结构包括在所述第一线中的多个开口，所述多个开口被配置成使得在使用中，所述浸没流体的弯液面被所述开口钉扎。