[发明专利]固体摄像器件、其制造方法及电子装置有效
申请号: | 201010291954.4 | 申请日: | 2010-09-26 |
公开(公告)号: | CN102034840A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 西泽贤一;高桥洋 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 褚海英;王维玉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种用于制造固体摄像器件的方法。在这种方法中,像素隔离元件形成于包括像素的半导体基板中,通过CMP将基板的厚度降低。为形成像素隔离元件,通过在基板的区域中注入杂质离子以形成第一像素隔离元件,使得当从基板的表面看进去时,像素设置于区域的各个部分之间。通过在不同于第一像素隔离元件的区域中形成沟槽以形成第二隔离元件,使得像素设置于区域的各个部分之间,然后用比基板更难通过CMP研磨的导电材料填充沟槽。将第二像素隔离元件用作阻挡层以对基板的后侧进行CMP。本发明可提供能以低成本有效率地制造并能拍摄高质量图像的固体摄像器件和电子装置,以及有效率地制造所述固体摄像器件和所述电子装置的方法。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】:
一种用于制造固体摄像器件的方法,包括步骤:在半导体基板中形成像素隔离元件,所述半导体基板中布置有各自包括光电转换元件的多个像素;以及通过对所述半导体基板进行化学机械研磨以降低所述半导体基板的厚度,其中,形成像素隔离元件的所述步骤包括子步骤:通过在所述半导体基板的区域中注入杂质离子以形成第一像素隔离元件,使得当从所述半导体基板的表面看进去时,所述像素设置于所述区域的各个部分之间;以及通过在不同于所述第一像素隔离元件的所述半导体基板的区域中形成沟槽以形成第二像素隔离元件,使得所述像素设置于所述区域的各个部分之间,然后用比所述半导体基板更难通过化学机械研磨而被研磨的导电材料填充所述沟槽,并且其中,通过将所述第二像素隔离元件用作阻挡层,对所述半导体基板的后表面进行化学机械研磨而进行降低所述厚度的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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