[发明专利]固体摄像器件、其制造方法及电子装置有效
申请号: | 201010291954.4 | 申请日: | 2010-09-26 |
公开(公告)号: | CN102034840A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 西泽贤一;高桥洋 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 褚海英;王维玉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种用于制造固体摄像器件的方法,包括步骤:
在半导体基板中形成像素隔离元件,所述半导体基板中布置有各自包括光电转换元件的多个像素;以及
通过对所述半导体基板进行化学机械研磨以降低所述半导体基板的厚度,
其中,形成像素隔离元件的所述步骤包括子步骤:
通过在所述半导体基板的区域中注入杂质离子以形成第一像素隔离元件,使得当从所述半导体基板的表面看进去时,所述像素设置于所述区域的各个部分之间;以及
通过在不同于所述第一像素隔离元件的所述半导体基板的区域中形成沟槽以形成第二像素隔离元件,使得所述像素设置于所述区域的各个部分之间,然后用比所述半导体基板更难通过化学机械研磨而被研磨的导电材料填充所述沟槽,并且
其中,通过将所述第二像素隔离元件用作阻挡层,对所述半导体基板的后表面进行化学机械研磨而进行降低所述厚度的步骤。
2.如权利要求1所述的方法,其中,当从半导体基板的表面看进去时,所述像素以第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向布置,并且在形成所述像素隔离元件的所述步骤中,所述像素隔离元件的各个部分形成于以所述第一方向布置的所述像素的行之间和以所述第二方向布置的所述像素的行之间。
3.如权利要求2所述的方法,其中,所述第一像素隔离元件形成为围绕第一像素阵列区,在所述第一像素阵列区中,一些所述像素以所述第一方向和所述第二方向布置;所述第二像素隔离元件形成为围绕不同于所述第一像素阵列区的第二像素阵列区,在所述第二像素阵列区中,一些所述像素以所述第一方向和所述第二方向布置。
4.如权利要求3所述的方法,还包括在所述第一像素隔离元件中形成浮动扩散部的步骤,所述浮动扩散部从所述光电转换元件中读出信号电荷。
5.如权利要求4所述的方法,其中,所述第一像素隔离元件形成为包括以所述第一方向延伸的部分和以所述第二方向延伸的部分,并且所述浮动扩散部在所述第一像素隔离元件中形成于以所述第一方向延伸的部分和以所述第二方向延伸的部分的交叉处。
6.如权利要求3所述的方法,其中,形成所述像素隔离元件的所述步骤还包括形成杂质扩散区的子步骤,当从所述半导体基板的所述表面看进去时,所述杂质扩散区位于所述第二像素阵列区和将要形成所述第二像素隔离元件的区域之间的所述第二像素阵列区周围。
7.一种固体摄像器件,其包括在半导体基板中的像素隔离元件,所述半导体基板包括多个像素,每个所述像素包括光电转换元件,其中,所述像素隔离元件包括:
第一像素隔离元件,所述第一像素隔离元件通过在所述半导体基板的区域中注入杂质离子而形成,使得当从所述半导体基板的表面看进去时,所述像素设置于所述区域的各个部分之间,和
第二像素隔离元件,所述第二像素隔离元件通过用导电材料填充沟槽形成,所述沟槽形成于不同于所述第一像素隔离元件的区域中,使得当从所述半导体基板的所述表面看进去时,所述像素设置于所述区域的各个部分之间。
8.一种电子装置,其包括在半导体基板中的像素隔离元件,所述半导体基板包括多个像素,每个所述像素包括光电转换元件,其中,所述像素隔离元件包括:
第一像素隔离元件,所述第一像素隔离元件通过在所述半导体基板的区域中注入杂质离子而形成,使得当从所述半导体基板的表面看进去时,所述像素设置于所述区域的各个部分之间,和
第二像素隔离元件,所述第二像素隔离元件通过在沟槽中填充导电材料而形成,所述沟槽形成于不同于所述第一像素隔离元件的区域中,使得当从所述半导体基板的所述表面看进去时,所述像素设置于所述区域的各个部分之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的