[发明专利]太阳能晶片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种太阳能晶片及其制备方法，该方法包括以下步骤：S1、在P型基底的晶片的表面形成N型掺杂层；S2、加速离子轰击N型掺杂层上未被掩模板覆盖的区域，并溅射出该N型掺杂层上未被掩模板覆盖的区域的N型原子；S3、在该N型掺杂层上形成一涂层，该涂层包括钝化层和增透膜；S4、在与N型掺杂层上未被离子轰击的区域对应的涂层上镀压金属电极；S5、将该P型基底的晶片在700-950℃的温度下烧结，并在烧结的同时退火。本发明使用离子注入法和离子溅射法，可以使掺杂离子的浓度均匀，且能精确地控制掺杂离子的浓度使其为理想值，并且形成表面低掺杂进一步提高太阳能电池的转化效率。

主权项

一种太阳能晶片的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：S1、在P型基底的晶片的表面形成N型掺杂层；S2、加速离子轰击N型掺杂层上未被掩模板覆盖的区域，并溅射出该N型掺杂层上未被掩模板覆盖的区域的N型原子；S3、在该N型掺杂层上形成一涂层，该涂层包括钝化层和增透膜；S4、在与N型掺杂层上未被离子轰击的区域对应的涂层上镀压金属电极；S5、将该P型基底的晶片在700‑950℃的温度下烧结，并在烧结的同时退火，其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。