[发明专利]太阳能晶片及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能晶片的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：

S₁、在P型基底的晶片的表面形成N型掺杂层；

S₂、加速离子轰击N型掺杂层上未被掩模板覆盖的区域，并溅射出该N型掺杂层上未被掩模板覆盖的区域的N型原子；

S₃、在该N型掺杂层上形成一涂层，该涂层包括钝化层和增透膜；

S₄、在与N型掺杂层上未被离子轰击的区域对应的涂层上镀压金属电极；

S₅、将该P型基底的晶片在700-950℃的温度下烧结，并在烧结的同时退火，

其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。

2.如权利要求1所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，步骤S₁中通过离子注入/退火或者扩散生长的方式在P型基底的晶片的表面形成N型掺杂层，此时该N型掺杂层的方块电阻为20-50Ω/m²。

3.如权利要求1所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，步骤S₂中所述离子被加速至500eV-50keV，所述离子为氢离子、氮离子、氧离子、碳离子或惰性气体离子。

4.如权利要求1所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，步骤S₂中离子的轰击深度不小于N型掺杂层的深度。

5.如权利要求1所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，步骤S₂中所述被离子轰击的N型掺杂层的方块电阻为60-150Ω/m²。

6.如权利要求1所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，步骤S₃中通过PECVD的方式形成涂层，该涂层的钝化层为SiOx、SiCx、SiNx或Al₂O₃薄膜。

7.如权利要求1-6任意一项所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，步骤S₄中通过印刷电路的方式镀压金属电极。

8.一种使用如权利要求1所述的制备方法制作的太阳能晶片，其特征在于，其包括：

一P型基底；

一位于该P型基底上的N型掺杂层；

一位于该N型掺杂层上的涂层，该涂层包括钝化层和增透膜；

位于该涂层上的金属电极，

其中，该N型掺杂层包括被该金属电极覆盖的部分和未被该金属电极覆盖的部分，所述被该金属电极覆盖的部分的N型掺杂层为未被离子轰击的N型掺杂层，所述未被该金属电极覆盖的部分的N型掺杂层为被离子轰击的N型掺杂层，

其中，该金属电极与所述未被离子轰击的N型掺杂层共晶复合，

其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。

9.如权利要求8所述的太阳能晶片，其特征在于，所述未被离子轰击的N型掺杂层的方块电阻为20-50Ω/m²，所述被离子轰击的N型掺杂层的方块电阻为60-150Ω/m²。

10.如权利要求8所述的太阳能晶片，其特征在于，所述离子为氢离子、氮离子、氧离子、碳离子或惰性气体离子。

11.如权利要求8-10任意一项所述的太阳能晶片，其特征在于，其中，该涂层的厚度为60-150nm，该涂层的钝化层为SiOx、SiCx、SiNx或Al₂O₃薄膜。