[发明专利]垂直沟道晶体管阵列及其制造方法

摘要

本发明涉及一种垂直沟道晶体管阵列及其制造方法。该垂直沟道晶体管阵列包括多条埋入式位线、多条位线接触窗、多个埋入式字线与漏电流隔离结构。多个半导体柱构成垂直沟道晶体管的有源区。多条埋入式位线平行设置于半导体基底中，在行方向延伸。多条位线接触窗分别设置于埋入式位线的一侧。多个埋入式字线，平行设置于埋入式位线上方，在列方向延伸，且隔着栅介电层而连接同一列的半导体柱。漏电流隔离结构设置于埋入式位线末端部分，以避免相邻位线接触窗之间产生漏电流。

主权项

一种垂直沟道晶体管阵列，包括：多个半导体柱，设置于半导体基底中，排列成行和列的阵列，该多个半导体柱每个构成垂直沟道晶体管的有源区；多条埋入式位线，平行设置于该半导体基底中，在行方向延伸；多条位线接触窗，分别设置于该多个埋入式位线的一侧，该多个埋入式位线分别经由该多个位线接触窗电性连接同一行的该多个半导体柱；多条埋入式字线，平行设置于该多个埋入式位线上方，在列方向延伸，且隔着栅介电层而连接同一列的该多个半导体柱；以及漏电流隔离结构，设置于该多个埋入式位线末端部分，以避免相邻该多个位线接触窗之间产生漏电流。