[发明专利]LED散热基板、LED封装结构及二者的制作方法有效
| 申请号： | 201010286380.1 | 申请日： | 2010-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102403413A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 刘红兵 | 申请（专利权）人： | 常州普美电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/64 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 徐琳淞 |
| 地址： | 213000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED散热基板、LED封装结构及二者的制作方法。以SOI晶圆或单晶硅晶圆为基材，以SOI晶圆为基材的散热基板包括：一硅材质的上层，其上包括通过蚀刻形成的硅杯；一位于上层的下SOI晶圆内的二氧化硅材质的蚀刻停止层；一硅材质的底层，其上包括通过蚀刻形成的至少二个导孔；以单晶硅晶圆为基材的散热基板包括：在第一面上通过蚀刻形成的硅杯；在第二面上通过蚀刻形成的至少二个导孔；导孔内填充有金属导体。本发明采用硅制作基板替代现有的各类陶瓷散热基板，结构简单，不仅可以达到高效散热的目的，而且可以大幅度降低基本的生产成本，同时硅与LED芯片衬底的热膨胀系数接近，有利于延长LED芯片的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | led 散热 封装 结构 二者 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LED散热基板，其特征在于：以SOI晶圆(1)或单晶硅晶圆(20)为基材；以SOI晶圆(1)为基材的散热基板包括：一硅材质的上层(11)，其上包括通过蚀刻形成的硅杯(4)；一位于上层(11)的下SOI晶圆内的二氧化硅材质的蚀刻停止层(12)；一硅材质的底层(13)，其上包括通过蚀刻形成的至少二个导孔(3)；导孔(3)内填充有金属导体(5)；以单晶硅晶圆(20)为基材的散热基板包括：在第一面(201)上通过蚀刻形成的硅杯(4)；在第二面(202)上通过蚀刻形成的至少二个导孔(3)；导孔(3)内填充有金属导体(5)。
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