[发明专利]LED散热基板、LED封装结构及二者的制作方法有效
| 申请号： | 201010286380.1 | 申请日： | 2010-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102403413A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 刘红兵 | 申请（专利权）人： | 常州普美电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/64 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 徐琳淞 |
| 地址： | 213000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 散热 封装 结构 二者 制作方法 | ||
1.一种LED散热基板，其特征在于：以SOI晶圆(1)或单晶硅晶圆(20)为基材；以SOI晶圆(1)为基材的散热基板包括：
一硅材质的上层(11)，其上包括通过蚀刻形成的硅杯(4)；
一位于上层(11)的下SOI晶圆内的二氧化硅材质的蚀刻停止层(12)；
一硅材质的底层(13)，其上包括通过蚀刻形成的至少二个导孔(3)；
导孔(3)内填充有金属导体(5)；以单晶硅晶圆(20)为基材的散热基板包括：
在第一面(201)上通过蚀刻形成的硅杯(4)；
在第二面(202)上通过蚀刻形成的至少二个导孔(3)；
导孔(3)内填充有金属导体(5)。
2.根据权利要求1所述的LED散热基板，其特征在于：所述硅杯(4)的底部为正方形或者长方形；在硅杯(4)的底部及SOI晶圆(1)底层(13)的背面(132)或单晶硅晶圆(20)的第二面(201)上还包括Sn/Au合金或者银浆材质的粘接层(6)。
3.根据权利要求2所述的LED散热基板，其特征在于：所述硅杯(4)的深度为300～500um；所述导孔(3)的深度为50～200um，导孔(3)的上端面(31)的直径＞100um；所述以SOI晶圆(1)为基材的散热基板的蚀刻停止层(12)的厚度为1～2um。
4.一种LED封装结构，其特征在于包括：散热基板、大功率LED芯片(7)和荧光粉/硅胶(8)；散热基板以SOI晶圆(1)或单晶硅晶圆(20)为基材，
以SOI晶圆(1)为基材的散热基板包括：
一硅材质的上层(11)，其上包括通过蚀刻形成的硅杯(4)；
一位于上层(11)的下SOI晶圆内的二氧化硅材质的蚀刻停止层(12)；
一硅材质的底层(13)，其上包括通过蚀刻形成的至少二个导孔(3)；
导孔(3)内填充有金属导体(5)；
硅杯(4)的底部及底层(13)的背面(132)上包括Sn/Au合金或者银浆材质的粘接层(6)；
以单晶硅晶圆(20)为基材的散热基板包括：
在第一面(201)上通过蚀刻形成的硅杯(4)；
在第二面(202)上通过蚀刻形成的至少二个导孔(3)；
导孔(3)内填充有金属导体(5)；
硅杯(4)的底部及第二面(201)上包括Sn/Au合金或者银浆材质的粘接层(6)；
一个或多个点阵排列的大功率LED芯片(7)绑定在硅杯(4)的底部的粘接层(6)上，大功率LED芯片(7)的引脚焊接在导孔(3)内的金属导体(5)上；
荧光粉/硅胶(8)封装在硅杯(4)内。
5.根据权利要求4所述的一种LED封装结构，其特征在于：还包括透镜(9)和透镜固定环(10)；透镜(8)通过透镜固定环(9)固定在SOI晶圆(1)的上层(11)的前面(111)或者单晶硅晶圆(20)的第一面(201)上；荧光粉/硅胶(8)封装在透镜(9)与大功率LED芯片(7)之间。
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