[发明专利]半导体存储器件

摘要

本发明提供一种半导体存储器件，是在利用4个MOS晶体管及2个负荷电阻元件而构成的静态型存储器单元中，构成存储器单元的MOS晶体管是形成在衬底上所形成的扩散层上。该扩散层为存储节点，且具有以下构造：MOS晶体管的漏极、栅极、源极相对于衬底配置在垂直方向，栅极包围柱状半导体层的构造。此外，负荷电阻元件是通过接触插塞而形成。通过以上构成，可形成小面积的SRAM单元。

主权项

一种半导体存储器件，具备在衬底上排列有4个MOS晶体管及2个负荷电阻元件的静态型存储器单元，其特征在于，所述4个MOS晶体管的各个是，源极扩散层、漏极扩散层及柱状半导体层是于垂直方向阶层性地配置在所述衬底上，所述柱状半导体层是配置在所述源极扩散层与所述漏极扩散层之间，在所述柱状半导体层的侧壁形成有栅极，且发挥作为对存储器单元进行存取用的第1及第2NMOS存取晶体管、及为了进行存储器单元的数据的写入与读出而驱动存储节点的第1及第2NMOS驱动器晶体管的功能，所述第1NMOS存取晶体管及所述第1NMOS驱动器晶体管是彼此邻接排列，所述第2NMOS存取晶体管及所述第2NMOS驱动器晶体管是彼此邻接排列，作为保持数据的第1存储节点而发挥功能的第1扩散层是作为所述第1NMOS存取晶体管及所述第1NMOS驱动器晶体管的共通扩散层而配置在所述衬底上，作为保持数据的第2存储节点而发挥功能的第2扩散层是作为所述第2NMOS存取晶体管及所述第2NMOS驱动器晶体管的共通扩散层而配置在所述衬底上，将所述2个负荷电阻元件的各个分别配置在所述第1扩散层及所述第2扩散层上。