[发明专利]一种晶圆级封装VDRDL重新布局技术无效
| 申请号： | 201010281597.3 | 申请日： | 2010-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102403235A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 涂嘉晋;李应煌 | 申请（专利权）人： | 涂嘉晋;李应煌 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 龚燮英 |
| 地址： | 中国台湾台北县板桥市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种晶圆级封装VDRDL重新布局技术，它涉及一种晶圆封装技术。它的工艺流程为：1)介电层镀膜；2)Die Pad保护并以光罩将回路形成；3)将金属液体倒入晶圆，并使其均匀分布，并形成纳米金属粉末沉积，液体飘在沉积物表面；4)真空下，液体升华为气体，并加温使纳米金属粉末融化并固化；5)磨除多余介电层，保护回路，并钝化处理；6)殖球。它能克服不连续和气孔产生的问题，而金属粉末已被烧结成为连续固体，因此不会有破碎和剥离的可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 封装 vdrdl 重新 布局 技术 | ||
【主权项】：
一种晶圆级封装VDRDL重新布局技术，其特征在于它的工艺流程为：1)介电层镀膜；2)Die Pad保护并以光罩将回路形成；3)将金属液体倒入晶圆，并使其均匀分布，并形成纳米金属粉末沉积，液体飘在沉积物表面；4)真空下，液体升华为气体，并加温使纳米金属粉末融化并固化；5)磨除多余介电层，保护回路，并钝化处理；6)殖球。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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