[发明专利]一种晶圆级封装VDRDL重新布局技术

说明书

技术领域：

本发明涉及一种晶圆封装技术，尤其涉及一种晶圆级封装VDRDL重新布局技术。

背景技术：

终端产品的发展趋势和规格需求，始终是组件技术发展的驱动力。若分别以三大信息产品类别-信息、通讯和消费性产品的发展以及其对组件的主要需求来看，始终仍不脱离小型化、高速/高效能、低成本、高容量、同/异质性整合等几个构面区追求。在整个WLCSP或者是3D IC成本中，Bumping或者是RDL占总成本33％，是非常重要的一环。

晶圆级封装中，可将原始的晶圆上回路Pad以重新布局方式移动位置，或者是增加回路布线，以达到WLCSP(Wafer Level Chip Scale(Size)Package)的要求。目前做法有Sputter电镀制程和挤压涂布制程。

Sputter即是用传统电镀方式处理，因此在成本和污染程度肯定提高。

挤压涂布法虽然是一个用导电胶方便的做法，有下列问题无法克服：1.挤压过程中气孔和不连续面的产生；2.在PCBA过程中会有破碎和剥离Peeling的可能；3.纳米金属颗粒是绝缘的，只有在聚合下才会导电，因此导电胶金属粉末比例愈高，导电率愈高，相对固化碎裂的机会愈大。

发明内容：

本发明的目的是提供一种晶圆级封装VDRDL重新布局技术，它能克服不连续和气孔产生的问题，而金属粉末已被烧结成为连续固体，因此不会有破碎和剥离的可能。

为了解决背景技术所存在的问题，本发明是采用以下技术方案：它的工艺流程为：1)介电层镀膜；2)Die Pad保护并以光罩将回路形成；3)将金属液体倒入晶圆，并使其均匀分布，并形成纳米金属粉末沉积，液体飘在沉积物表面；4)真空下，液体升华为气体，并加温使纳米金属粉末融化并固化；5)磨除多余介电层，保护回路，并钝化处理；6)殖球。

本发明的优点是：它能克服不连续和气孔产生的问题，而金属粉末已被烧结成为连续固体，因此不会有破碎和剥离的可能。

具体实施方式：

本具体实施方式采用以下技术方案：它的工艺流程为：1)介电层镀膜；2)Die Pad保护并以光罩将回路形成；3)将金属液体倒入晶圆，并使其均匀分布，并形成纳米金属粉末沉积，液体飘在沉积物表面；4)真空下，液体升华为气体，并加温使纳米金属粉末融化并固化；5)磨除多余介电层，保护回路，并钝化处理；6)殖球。

本具体实施方式的优点是：它能克服不连续和气孔产生的问题，而金属粉末已被烧结成为连续固体，因此不会有破碎和剥离的可能。