[发明专利]硫系化合物相变材料抛光后清洗液有效

专利信息
申请号: 201010281508.5 申请日: 2010-09-14
公开(公告)号: CN101935596A 公开(公告)日: 2011-01-05
发明(设计)人: 王良咏;宋志棠;刘卫丽;刘波;钟旻;封松林 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: C11D1/86 分类号: C11D1/86;C11D1/62;C11D1/72;C11D1/04;C11D3/04;C11D3/28;C11D3/60
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 许亦琳;余明伟
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种相变材料抛光后清洗液,包括至少两种氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂、酸性介质和去离子水;以清洗液总重量为基准,上述组分的重量百分比为:氧化剂总量0.01-10wt%,表面活性剂0.01-4wt%,金属防腐抑制剂0.0001-20wt%,酸性介质0.2-30wt%,余量为去离子水。本发明提供的抛光后清洗液,通过采用两种以上氧化剂的协同作用,大大提高了硫系化合物相变材料GexSbyTe(1-x-y)的抛光后清洗效率,其残留去除速率大大提高,可达9-70nm/min。
搜索关键词: 化合物 相变 材料 抛光 清洗
【主权项】:
一种相变材料抛光后清洗液,包括至少两种氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂、酸性介质和去离子水;其中,以清洗液总重量为基准,上述组分的重量百分比为:氧化剂总量        0.01‑10wt%;表面活性剂        0.01‑4wt%;金属防腐抑制剂    0.0001‑20wt%;酸性介质          0.2‑30wt%;去离子水          余量。
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