[发明专利]一种等离子体增强化学气相沉积炉

摘要

本发明公开了一种等离子体增强化学气相沉积炉，包括沉积腔体和腔门，腔门的内侧连接有碳化硅浆，碳化硅浆上放置有多个载片舟，碳化硅浆的两端分别设置有均用于均匀通过气体的前匀流板和后匀流板，优点在于关闭腔门时，前匀流板和后匀流板将沉积腔体的空腔分成前缓冲腔、主腔和后缓冲腔，使用时通过进气管输入反应气体，气体先进入前缓冲腔，然后通过前匀流板均匀的流入主腔，气体反应对主腔内的硅片进行镀膜，由于气体是均匀流入主腔内的，且硅片镀膜的同时通过尾气管抽气，抽出的生成物通过后匀流板均匀排出，因此主腔内的气体的浓度均匀性和稳定性均良好，不仅能够较好地完成镀膜，而且可使硅片的镀膜厚度均匀且致密性较好。

主权项

一种等离子体增强化学气相沉积炉，包括具有一开口端的沉积腔体和与所述的沉积腔体的开口端相配合的腔门，所述的腔门的内侧连接有碳化硅浆，所述的沉积腔体与所述的腔门连接时所述的碳化硅浆完全位于所述的沉积腔体的空腔内，所述的碳化硅浆上放置有多个用于装载硅片的载片舟，其特征在于所述的碳化硅浆的两端分别设置有均用于均匀通过气体的前匀流板和后匀流板，所述的前匀流板和所述的后匀流板分所述的沉积腔体的空腔为前缓冲腔、主腔和后缓冲腔，所有所述的载片舟位于所述的主腔内，所述的前缓冲腔内的气体通过所述的前匀流板均匀地流向所述的主腔内，所述的主腔内的气体通过所述的后匀流板均匀地流向所述的后缓冲腔内。