[发明专利]一种等离子体增强化学气相沉积炉无效
申请号: | 201010279719.5 | 申请日: | 2010-09-13 |
公开(公告)号: | CN101935826A | 公开(公告)日: | 2011-01-05 |
发明(设计)人: | 夏金才;肖剑峰;周体;韩海军 | 申请(专利权)人: | 宁波升日太阳能电源有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455 |
代理公司: | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 程晓明 |
地址: | 315040 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 等离子体 增强 化学 沉积 | ||
1.一种等离子体增强化学气相沉积炉,包括具有一开口端的沉积腔体和与所述的沉积腔体的开口端相配合的腔门,所述的腔门的内侧连接有碳化硅浆,所述的沉积腔体与所述的腔门连接时所述的碳化硅浆完全位于所述的沉积腔体的空腔内,所述的碳化硅浆上放置有多个用于装载硅片的载片舟,其特征在于所述的碳化硅浆的两端分别设置有均用于均匀通过气体的前匀流板和后匀流板,所述的前匀流板和所述的后匀流板分所述的沉积腔体的空腔为前缓冲腔、主腔和后缓冲腔,所有所述的载片舟位于所述的主腔内,所述的前缓冲腔内的气体通过所述的前匀流板均匀地流向所述的主腔内,所述的主腔内的气体通过所述的后匀流板均匀地流向所述的后缓冲腔内。
2.根据权利要求1所述的一种等离子体增强化学气相沉积炉,其特征在于所述的前匀流板设置于所述的碳化硅浆靠近所述的腔门的一端,所述的后匀流板设置于所述的碳化硅浆靠近所述的沉积腔体的底部的一端,所述的前缓冲腔为所述的腔门与所述的前匀流板之间的空间,所述的主腔为所述的前匀流板和所述的后匀流板之间的空间,所述的后缓冲腔为所述的后匀流板和所述的沉积腔体的底部之间的空间。
3.根据权利要求1或2所述的一种等离子体增强化学气相沉积炉,其特征在于所述的前匀流板和所述的后匀流板均为石英圆盘,所述的石英圆盘上均匀设置有多个通气孔。
4.根据权利要求3所述的一种等离子体增强化学气相沉积炉,其特征在于所述的前匀流板的直径和所述的后匀流板的直径均小于等于所述的沉积腔体的腔壁的内径。
5.根据权利要求4所述的一种等离子体增强化学气相沉积炉,其特征在于所述的腔门上贯穿设置有进气管,所述的沉积腔体的底部贯穿设置有尾气管,通过所述的进气管输入的反应气体进入所述的前缓冲腔,位于所述的前缓冲腔内的反应气体通过均匀设置于所述的前匀流板上的所述的通气孔进入所述的主腔内,在所述的主腔内反应气体反应对硅片进行镀膜,所述的尾气管抽气时反应气体反应后的生成物通过均匀设置于所述的后匀流板上的所述的通气孔进入所述的后缓冲腔,位于所述的后缓冲腔内的生成物通过所述的尾气管排出所述的沉积腔体外。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的