[发明专利]铜铟镓硒薄膜电池的制备方法

摘要

一种铜铟镓硒薄膜电池的制备方法，包括如下步骤：在玻璃衬底的一侧形成金属背电极层；从玻璃衬底远离该金属背电极层的一侧发射穿透玻璃衬底的第一激光束，以形成穿透金属背电极层的第一刻槽；在金属背电极层上及第一刻槽表面形成铜铟镓硒光吸收层；在铜铟镓硒光吸收层上形成缓冲层；在缓冲层上形成阻挡层；发射第二激光束，以在阻挡层上蚀刻形成深入至金属背电极层的第二刻槽；在阻挡层和第二刻槽表面形成窗口层；发射第三激光束，以在窗口层上蚀刻形成深入至金属背电极层的第三刻槽。上述方法制备的铜铟镓硒薄膜电池具有不易短路的优点。

主权项

一种铜铟镓硒薄膜电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在玻璃衬底的一侧形成金属背电极层；从该玻璃衬底远离该金属背电极层的一侧发射穿透该玻璃衬底的第一激光束，以形成穿透该金属背电极层的第一刻槽；在该金属背电极层上及该第一刻槽表面形成铜铟镓硒光吸收层；在该铜铟镓硒光吸收层上形成缓冲层；在该缓冲层上形成阻挡层；发射第二激光束，以在该阻挡层上蚀刻形成深入至该金属背电极层的第二刻槽；在该阻挡层和该第二刻槽表面形成窗口层；发射第三激光束，以在该窗口层上蚀刻形成深入至该金属背电极层的第三刻槽。