[发明专利]铜铟镓硒薄膜电池的制备方法有效
| 申请号： | 201010278999.8 | 申请日： | 2010-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101980377A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 马续航 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铜铟镓硒 薄膜 电池 制备 方法 | ||
1.一种铜铟镓硒薄膜电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在玻璃衬底的一侧形成金属背电极层；
从该玻璃衬底远离该金属背电极层的一侧发射穿透该玻璃衬底的第一激光束，以形成穿透该金属背电极层的第一刻槽；
在该金属背电极层上及该第一刻槽表面形成铜铟镓硒光吸收层；
在该铜铟镓硒光吸收层上形成缓冲层；
在该缓冲层上形成阻挡层；
发射第二激光束，以在该阻挡层上蚀刻形成深入至该金属背电极层的第二刻槽；
在该阻挡层和该第二刻槽表面形成窗口层；
发射第三激光束，以在该窗口层上蚀刻形成深入至该金属背电极层的第三刻槽。
2.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜电池的制备方法，其特征在于：该第一激光束、该第二激光束及该第三激光束的波长范围为248～1064nm，扫描速度为20～2000mm/sec，调节频率为30～80KHz。
3.根据权利要求2所述的铜铟镓硒薄膜电池的制备方法，其特征在于：该第一激光束、该第二激光束及该第三激光束的波长相等。
4.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜电池的制备方法，其特征在于：蚀刻第一刻槽时，该第一刻槽宽小于等于60μm，刻蚀完毕后将该玻璃衬底浸入10～30MΩ/cm的去离子水中超声震荡清洗2～10分钟，用乙醇溶液冲洗，并用氮气吹干。
5.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜电池的制备方法，其特征在于，该第二刻槽的宽度为50～300μm，该第二刻槽与该第一刻槽的间距为200～400μm。
6.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜电池的制备方法，其特征在于：该第三刻槽的宽度为30～200μm，该第三刻槽与该第二刻槽的间距为200～400μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
