[发明专利]太阳电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种太阳电池的制备方法，包括以下步骤：提供多片单晶硅片进行表面织构化；将多片织构化的硅片层叠在一起在其周边沉积上一层氮化硅或氧化硅掩蔽膜，然后在硅片待制作正电极的前表面上扩散上一层磷掺杂层，形成PN结，而在硅片的周边由于掩蔽膜的存在而没有形成扩散PN结；去除周边掩蔽膜和表面磷硅玻璃；制作钝化及减反射层；进行丝网印刷和烧结形成背面Ag电极、背面铝背场和正面Ag电极。本发明提供的太阳电池的制备方法，在进行杂质源扩散制作PN结前先形成掩蔽膜，由于掩蔽膜的存在，在硅片四周边缘不会形成PN结，将扩散后的硅片进行酸洗去除硅片四周掩蔽膜和扩散表面的磷硅玻璃，从而达到替代刻蚀的目的。

主权项

一种太阳电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供多片单晶硅片，对单晶硅片表面织构化形成绒面结构；将多片织构化的硅片层叠在一起，并采用化学气相沉积法在其四周沉积氮化硅或氧化硅掩蔽膜，或者通过化学氧化的方法在其四周沉积一层氧化硅掩蔽膜；将上述硅片通过扩散工艺，在硅片待制作栅电极的前表面上扩散上一层磷掺杂层，形成PN结，而在硅片的周边由于掩蔽膜的存在而没有形成扩散磷掺杂层；去除在硅片周边形成的掩蔽膜和在硅片表面形成的副产物磷硅玻璃；采用等离子增强化学气相沉积法在上述硅片的扩散面沉积一层氮化硅薄膜形成钝化及减反射层；用丝网印刷的方法，在上述硅片层的背面依次印刷背电极浆料和背电场浆料，在正面印刷细栅电极和主栅电极浆料后进行烧结；烧结后背电极浆料和背电场浆料形成太阳能电池的背面Ag电极和铝背场，而正面电极浆料则穿过钝化及减反射层与扩散层接触，形成具有良好欧姆接触的太阳能电池的正面Ag电极。