[发明专利]太阳电池的制备方法

权利要求书

1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供多片单晶硅片，对单晶硅片表面织构化形成绒面结构；

将多片织构化的硅片层叠在一起，并采用化学气相沉积法在其四周沉积氮化硅或氧化硅掩蔽膜，或者通过化学氧化的方法在其四周沉积一层氧化硅掩蔽膜；

将上述硅片通过扩散工艺，在硅片待制作栅电极的前表面上扩散上一层磷掺杂层，形成PN结，而在硅片的周边由于掩蔽膜的存在而没有形成扩散磷掺杂层；

去除在硅片周边形成的掩蔽膜和在硅片表面形成的副产物磷硅玻璃；

采用等离子增强化学气相沉积法在上述硅片的扩散面沉积一层氮化硅薄膜形成钝化及减反射层；

用丝网印刷的方法，在上述硅片层的背面依次印刷背电极浆料和背电场浆料，在正面印刷细栅电极和主栅电极浆料后进行烧结；

烧结后背电极浆料和背电场浆料形成太阳能电池的背面Ag电极和铝背场，而正面电极浆料则穿过钝化及减反射层与扩散层接触，形成具有良好欧姆接触的太阳能电池的正面Ag电极。

2.如权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述对单晶硅片表面织构化形成绒面结构包括如下步骤：对单晶硅片进行预清洗，预清洗采用超声波，并添加一定的清洗去污剂；之后将单晶硅片置于温度为75-80℃，质量百分比浓度为1%－2%的氢氧化钠溶液中进行表面织构化工艺，并添加适量制绒催化剂，以在100晶向的硅片表面形成均匀一致的大小在1-3um的“金字塔”状绒面结构，使表面具有良好的陷光效果。

3.如权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述沉积氮化硅或氧化硅掩蔽膜包括如下步骤：将所述硅片层上下两面用一组金属板和聚四氟乙烯薄片遮盖并用螺丝牢固，使各硅片间紧紧贴住；然后将固定后的该叠硅片置于一管式静态化学气相沉积设备中，运行沉积工艺,并缓慢旋转底座，使得在硅片层周边形成一层均匀致密的氮化硅掩蔽膜。

4.如权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述沉积氮化硅或氧化硅掩蔽膜包括如下步骤：将织构化后的硅片依次平放于一板式化学气相沉积镀膜载具中，用一组模具盖片将待沉积的硅片前表面正好覆盖住，运行沉积工艺后在硅片周边形成一层致密的氮化硅或二氧化硅掩蔽膜。

5.如权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述去除掩蔽膜和磷硅玻璃包括如下步骤：将扩散后的硅片置于体积百分比为10%左右的氢氟酸溶液中，清洗3-5分钟将硅片四周的氮化硅掩蔽膜和扩散时在硅片表面形成的磷硅玻璃去除干净。

6.如权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述钝化及减反射层的厚度为75～85nm，折射率控制为1.6～2.6。

7.如权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述烧结包括如下步骤：先在200℃～300℃的温度下烘干，然后在500℃～800℃的气氛下进行烧结。