[发明专利]薄膜场效应三极管阵列及液晶显示器制备方法有效
| 申请号： | 201010277101.5 | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101976656A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 郝付泼;谢凡;于春崎;何基强 | 申请（专利权）人： | 信利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/762;H01L21/00;G02F1/1333;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 516600 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了可降低漏电流的薄膜场效应三极管TFT阵列及液晶显示器制备方法。上述阵列制备方法包括：提供基底，所述基底具有沟道区，所述沟道区上覆盖有保护层；在所述基底上形成导电层图形；对所述沟道区上的保护层去除预设厚度；对去除保护层预设厚度的TFT阵列进行清理。可以看出，本发明实施例将保护层去除预设厚度，从而可去除一部分含有导电粒子的保护层，减少“浮栅”结构，这样TFT在加负向的栅源电压时，其保护层和沟道界面处聚集的导电粒子将减少，进而有效地降低了TFT的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 场效应 三极管 阵列 液晶显示器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜场效应三极管TFT阵列制备方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有沟道区，所述沟道区上覆盖有保护层；在所述基底上形成导电层图形；对所述沟道区上的保护层去除预设厚度；对去除保护层预设厚度的TFT阵列进行清理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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