[发明专利]薄膜场效应三极管阵列及液晶显示器制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器制造技术领域，更具体地说，涉及薄膜场效应三极管阵列及液晶显示器制备方法。

背景技术

薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是制备薄膜场效应晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的重要器件。TFT-LCD的制备流程主要包括TFT阵列制程、组立制程和模组制程。其中，TFT阵列制程主要是在玻璃基板上形成TFT层，得到TFT玻璃基板，也即TFT的制备主要在阵列制程中完成。对于背沟道刻蚀型TFT而言，其对应的阵列制程一般包括：

提供基底，所述基底具有沟道区，所述沟道区上覆盖有保护层；

在所述基底上形成导电层图形。

在实施本发明创造时，发明人发现：在基底上制备导电层图形时，不可避免的会有部分导电层的导电粒子扩散或者被注入到沟道区上方的保护层中。上述导电粒子在保护层中形成“浮栅”结构，进而导致TFT在加负向的栅源电压时，其保护层和沟道界面处聚集较多的导电粒子，进而导致漏电流(Ioff)增大。

而Ioff若过大将影响TFT的开关特性，并进而导致TFT-LCD出现显示不均、发白、窜扰等显示类缺陷。因此，在制备时就应该从工艺上进行优化，以达到降低Ioff的目的。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例目的在于提供可降低漏电流的薄膜场效应三极管阵列及液晶显示器制备方法。

为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

一种薄膜场效应三极管TFT阵列制备方法，包括：

提供基底，所述基底具有沟道区，所述沟道区上覆盖有保护层；

在所述基底上形成导电层图形；

对所述沟道区上的保护层去除预设厚度；

对去除保护层预设厚度的TFT阵列进行清理。

一种液晶显示器制备方法，包括阵列制程、组立制程以及模组制程，所述阵列制程包括：

提供基底，所述基底具有沟道区，所述沟道区上具有保护层；

在所述基底上形成导电层图形；

对所述沟道区上的保护层去除预设厚度；

对去除保护层预设厚度的TFT阵列进行清理。

可以看出，本发明实施例将保护层去除预设厚度，从而可去除一部分含有导电粒子的保护层，减少“浮栅”结构，这样TFT在加负向的栅源电压时，其保护层和沟道界面处聚集的导电粒子将减少，进而有效地降低了TFT的漏电流。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的薄膜三极管阵列制程流程图；

图2a为本发明实施例提供的薄膜三极管阵列制程另一流程图；

图2b为本发明实施例提供的薄膜三极管阵列制程又一流程图；

图3为本发明实施例提供的薄膜三极管阵列制程又一流程图；

图4为本发明实施例提供的薄膜三极管阵列制程又一流程图；

图5为本发明实施例提供的经流程S101后的基底结构示意图；

图6为本发明实施例提供的经流程S102后的基底结构示意图；

图7为本发明实施例提供的经流程S103后的基底结构示意图；

图8为本发明实施例提供的经流程S104后的基底结构示意图；

图9为本发明实施例提供的经流程S105后的TFT阵列板结构示意图。

具体实施方式

为了引用和清楚起见，下文中使用的技术名词、简写或缩写总结如下：

Ioff：漏电流；

Vds：源漏极间电压；

Vgs：栅源极间电压；

Ids：源漏极间电流；

TFT，Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管；

LCD，Liquid Crystal Display，液晶显示器；

DRIVE IC，驱动集成电路；

HF：氟化氢；

BHF：缓冲氢氟酸；

刻蚀：刻蚀是用化学或物理方法有选择性地去除材料的工艺过程。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。