[发明专利]BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，包括：集电区、基区、发射区以及赝埋层、N型多晶硅。集电区形成于第一有源区中，赝埋层形成于集电区两侧的浅槽场氧底部并横向延伸进入第一有源区并和集电区形成接触，通过赝埋层实现集电区和其相邻的第二、第三有源区相连接，通过在第二、第三有源区的顶部形成金属接触引出集电极。N型多晶硅形成于基区上部并和基区相接触，通过在N型多晶硅上做金属接触引出基极。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件的制造方法。本发明器件能用作高速、高增益BiCMOS电路中的输出器件，为电路提供多一种器件选择，能在不增加器件面积的情况下减小集电极电阻、提高器件的性能。

主权项

一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，所述垂直寄生型PNP器件包括：一集电区，在各所述有源区中形成有P型离子注入区，各所述有源区的P型离子注入区深度大于或等于所述浅槽场氧的底部深度并且相互连接，所述集电区由形成于第一有源区中的一P型离子注入区组成；一赝埋层，由形成于所述集电区两侧的所述浅槽场氧底部的P型离子注入区组成，所述赝埋层横向延伸进入所述第一有源区并和所述集电区形成接触；所述赝埋层还横向延伸进入第二有源区和第三有源区中并和所述第二有源区和第三有源区中的P型离子注入区形成接触，所述第二有源区和第三有源区为位于所述第一有源区两侧并和所述第一有源区隔离有所述浅槽场氧的所述有源区；通过在所述第二有源区和第三有源区顶部形成金属接触引出集电极；一基区，由形成于所述集电区上部并和所述集电区相接触的一N型离子注入区组成；一发射区，由形成于所述基区上部并和所述基区相接触的一P型锗硅外延层组成，直接通过一金属接触引出发射极；一N型多晶硅，所述N型多晶硅形成于所述基区上部并和所述基区相接触，通过在所述N型多晶硅上做金属接触引出基极。