[发明专利]BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件及制造方法

权利要求书

1.一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，所述垂直寄生型PNP器件包括：

一集电区，在各所述有源区中形成有P型离子注入区，各所述有源区的P型离子注入区深度大于或等于所述浅槽场氧的底部深度并且相互连接，所述集电区由形成于第一有源区中的一P型离子注入区组成；

一赝埋层，由形成于所述集电区两侧的所述浅槽场氧底部的P型离子注入区组成，所述赝埋层横向延伸进入所述第一有源区并和所述集电区形成接触；所述赝埋层还横向延伸进入第二有源区和第三有源区中并和所述第二有源区和第三有源区中的P型离子注入区形成接触，所述第二有源区和第三有源区为位于所述第一有源区两侧并和所述第一有源区隔离有所述浅槽场氧的所述有源区；通过在所述第二有源区和第三有源区顶部形成金属接触引出集电极；

一基区，由形成于所述集电区上部并和所述集电区相接触的一N型离子注入区组成；

一发射区，由形成于所述基区上部并和所述基区相接触的一P型锗硅外延层组成，直接通过一金属接触引出发射极；

一N型多晶硅，所述N型多晶硅形成于所述基区上部并和所述基区相接触，通过在所述N型多晶硅上做金属接触引出基极。

2.如权利要求1所述的BiMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，其特征在于：各所述有源区的P型离子注入区的注入杂质为硼，分两步注入实现：第一步注入剂量为1e11cm^-2～5e13cm^-2、注入能量为100keV～300keV；第二步注入剂量为5e11cm^-2～1e13cm^-2、注入能量为30keV～100keV。

3.如权利要求1所述的BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，其特征在于：所述赝埋层的P型离子注入的工艺条件为：注入剂量为1e14cm^-2～1e16cm^-2、能量为小于15keV、注入杂质为硼或二氟化硼。

4.如权利要求1所述的BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，其特征在于：所述基区的N型离子注入的工艺条件为：注入杂质为磷或者砷、能量条件为100Kev～300Kev、剂量为1e12cm^-2～1e14cm^-2。

5.如权利要求1所述的BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，其特征在于：所述发射区的P型锗硅外延层采用离子注入工艺进行掺杂，掺杂工艺条件为：注入剂量为5e14cm^-2～5e15cm^-2、能量为小于10keV、注入杂质为硼或二氟化硼。

6.如权利要求1所述的BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，其特征在于：所述N型多晶硅采用离子注入工艺进行掺杂，掺杂工艺条件为：注入剂量为1e14cm^-2～1e16cm^-2、能量为150keV～200keV、注入杂质为砷或磷。

7.如权利要求1所述的BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，其特征在于：所述发射区的大小小于所述有源区的大小，所述发射区的大小由第一介质层上形成的基区窗口进行定义，所述第一介质层形成于所述硅衬底上，通过刻蚀部分位于所述硅衬底的所述第一有源区上方的部分所述第一介质层形成所述基区窗口，所述基区窗口位于所述第一有源区上并小于所述第一有源区。

8.如权利要求1所述的BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，其特征在于：所述N型多晶硅通过第二介质层和所述发射区相隔离。

9.如权利要求1所述的BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，其特征在于：在所述第二有源区和第三有源区中还形成有P型重掺杂区，所述P型重掺杂区和所述集电极的金属接触形成欧姆接触。