[发明专利]固体摄像装置及其制造方法有效
申请号: | 201010274493.X | 申请日: | 2010-09-03 |
公开(公告)号: | CN102044550A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 山口铁也 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335;H04N5/225 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈萍 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种背面照射型的固体摄像装置及其制造方法,该固体摄像装置具有在半导体基板上配置包括光电转换部以及信号扫描电路部的多个像素的摄像区域,并且在与形成上述信号扫描电路部的上述半导体基板的表面相反侧的基板表面上形成光照射面,该背面照射型的固体摄像装置包括:硅氧化膜,设置在上述光照射面侧的半导体基板上;p型非晶硅化合物层,设置在上述硅氧化膜上;以及空穴蓄积层,通过上述p型非晶硅化合物层形成在上述光照射面侧的半导体基板与上述硅氧化膜之间的界面附近。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种背面照射型的固体摄像装置,具有在半导体基板上配置包括光电转换部以及信号扫描电路部的多个像素的摄像区域,并且在与形成上述信号扫描电路部的上述半导体基板的表面相反侧的基板表面上形成光照射面,该背面照射型的固体摄像装置包括:硅氧化膜,设置在上述光照射面侧的半导体基板上;p型非晶硅化合物层,设置在上述硅氧化膜上;以及空穴蓄积层,通过上述p型非晶硅化合物层形成在上述光照射面侧的半导体基板与上述硅氧化膜之间的界面附近。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的