[发明专利]固体摄像装置及其制造方法

权利要求书

1.一种背面照射型的固体摄像装置，具有在半导体基板上配置包括光电转换部以及信号扫描电路部的多个像素的摄像区域，并且在与形成上述信号扫描电路部的上述半导体基板的表面相反侧的基板表面上形成光照射面，

该背面照射型的固体摄像装置包括：

硅氧化膜，设置在上述光照射面侧的半导体基板上；

p型非晶硅化合物层，设置在上述硅氧化膜上；以及

空穴蓄积层，通过上述p型非晶硅化合物层形成在上述光照射面侧的半导体基板与上述硅氧化膜之间的界面附近。

2.根据权利要求1所述的背面照射型的固体摄像装置，其中，

上述像素还具有像素分离层，该像素分离层用于分离每个像素；

上述背面照射型的固体摄像装置还包括控制电路，该控制电路经由上述像素分离层，向上述p型非晶硅化合物层施加电压。

3.根据权利要求2所述的背面照射型的固体摄像装置，其中，

还具有透明电极层，该透明电极层设置在上述p型非晶硅化合物层上，

上述控制电路向上述透明电极层施加负偏压。

4.根据权利要求1所述的背面照射型的固体摄像装置，其中，

上述p型非晶硅化合物层是p型非晶硅碳化物层或p型非晶硅氮化物层。

5.根据权利要求4所述的背面照射型的固体摄像装置，其中，

上述p型非晶硅碳化物层的硼浓度为1E17cm^-3以上且1E20cm^-3以下，

上述硅氧化膜的膜厚为2nm以上且100nm以下。

6.根据权利要求1所述的背面照射型的固体摄像装置，其中，

上述像素具有：

构成上述光电转换部的光电二极管；以及

构成上述信号扫描电路部的放大晶体管、读取晶体管、复位晶体管以及地址晶体管。

7.根据权利要求1所述的背面照射型的固体摄像装置，其中，

还具有垂直移位寄存器，该垂直移位寄存器按照每行来选择上述像素。

8.根据权利要求1所述的背面照射型的固体摄像装置，其中，

还具有模拟数字转换电路，该模拟数字转换电路把从被选择的行的上述像素分别输出的与入射光的量相对应的模拟信号转换成数字信号。

9.一种固体摄像装置的制造方法，包括：

在SOI基板上形成半导体层；

在信号扫描线侧的上述半导体层形成光电二极管、层间绝缘膜以及布线层；

向信号扫描线侧的上述层间绝缘膜贴合支撑基板；

将上述SOI基板中的绝缘层用作阻挡件，来去除与上述信号扫描线侧相反侧的光照射面侧的上述半导体基板；

在上述光照射面侧残留的上述绝缘层上，形成p型非晶硅化合物层，在上述光照射面侧的上述半导体层与上述绝缘层之间的界面附近，形成通过上述p型非晶硅化合物层形成的空穴蓄积层；

在上述p型非晶硅化合物层上形成平坦化层；

在上述平坦化层上形成层间绝缘膜，并在该层间绝缘膜中形成滤色器；以及

在光照射面侧的上述层间绝缘膜上形成微透镜。

10.根据权利要求9所述的固体摄像装置的制造方法，其中，还包括：

在上述半导体层，形成分离每个像素的像素分离层；以及

形成经由上述像素分离层向上述p型非晶硅化合物层施加电压的控制电路。

11.根据权利要求10所述的固体摄像装置的制造方法，其中，

还包括在上述p型非晶硅化合物层上形成透明电极层；

上述控制电路向上述透明电极层施加负偏压。

12.根据权利要求9所述的固体摄像装置的制造方法，其中，

上述p型非晶硅化合物层是p型非晶硅碳化物层或者是p型非晶硅氮化物层。

13.根据权利要求12所述的固体摄像装置的制造方法，其中，

上述p型非晶硅碳化物层的硼浓度为1E17cm^-3以上且1E20cm^-3以下，

上述硅氧化膜的膜厚为2nm以上且100nm以下。