[发明专利]断面加工观察方法以及装置有效

专利信息
申请号: 201010272016.X 申请日: 2010-09-02
公开(公告)号: CN102013379A 公开(公告)日: 2011-04-13
发明(设计)人: 高桥春男;清原正宽;佐藤诚;田代纯一 申请(专利权)人: 精工电子纳米科技有限公司
主分类号: H01J37/28 分类号: H01J37/28;H01J37/304
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;马建军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供能够用不具有SEM装置的聚焦离子束装置高效率地连续实施断面加工观察的断面加工观察方法以及装置。作为解决手段,提供一种断面加工观察方法,通过基于聚焦离子束的蚀刻加工在试样上形成断面,通过基于聚焦离子束的断面观察而取得断面观察图像,对包含所述断面的区域进行蚀刻加工,形成新断面,取得新断面的断面观察图像,其特征在于,向试样上的包含标记和断面的区域照射聚焦离子束,取得表面观察图像,在表面观察图像上识别标记的位置,以标记的位置为基准,设定用于形成新断面的聚焦离子束的照射区域,进行试样断面的蚀刻加工。
搜索关键词: 断面 加工 观察 方法 以及 装置
【主权项】:
一种断面加工观察方法,通过基于聚焦离子束的蚀刻加工在试样上形成断面,使所述试样倾斜,通过基于所述聚焦离子束的断面观察而取得断面观察图像,使所述试样的倾斜复原,对包含所述断面的区域进行蚀刻加工,形成新断面,使所述试样倾斜,取得所述新断面的断面观察图像,该断面加工观察方法包括下述步骤:向所述试样上的包含表示位置的标记和所述断面在内的区域照射所述聚焦离子束,取得表面观察图像;以及在所述表面观察图像上识别所述标记的位置,以所述标记的位置为基准,设定用于形成所述新断面的所述聚焦离子束的照射区域,进行所述试样断面的蚀刻加工。
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