[发明专利]断面加工观察方法以及装置有效
| 申请号: | 201010272016.X | 申请日: | 2010-09-02 | 
| 公开(公告)号: | CN102013379A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 | 
| 发明(设计)人: | 高桥春男;清原正宽;佐藤诚;田代纯一 | 申请(专利权)人: | 精工电子纳米科技有限公司 | 
| 主分类号: | H01J37/28 | 分类号: | H01J37/28;H01J37/304 | 
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;马建军 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 断面 加工 观察 方法 以及 装置 | ||
1.一种断面加工观察方法,通过基于聚焦离子束的蚀刻加工在试样上形成断面,使所述试样倾斜,通过基于所述聚焦离子束的断面观察而取得断面观察图像,使所述试样的倾斜复原,对包含所述断面的区域进行蚀刻加工,形成新断面,使所述试样倾斜,取得所述新断面的断面观察图像,该断面加工观察方法包括下述步骤:
向所述试样上的包含表示位置的标记和所述断面在内的区域照射所述聚焦离子束,取得表面观察图像;以及
在所述表面观察图像上识别所述标记的位置,以所述标记的位置为基准,设定用于形成所述新断面的所述聚焦离子束的照射区域,进行所述试样断面的蚀刻加工。
2.根据权利要求1所述的断面加工观察方法,其中,
所述标记是通过基于所述聚焦离子束的蚀刻加工而形成的。
3.根据权利要求1所述的断面加工观察方法,其中,
所述标记是向所述试样喷射原料气体,照射所述聚焦离子束而通过沉积形成的。
4.根据权利要求1所述的断面加工观察方法,其中,
所述标记是所述试样上的表示位置的特征部。
5.根据权利要求1~4中的任意一项所述的断面加工观察方法,其中,
用于形成所述新断面的所述聚焦离子束的照射区域是与所述断面相邻的区域。
6.根据权利要求1~5中的任意一项所述的断面加工观察方法,其中,
用于形成所述新断面的所述聚焦离子束的照射区域的尺寸与用于形成所述断面的所述聚焦离子束的照射区域的尺寸相同。
7.根据权利要求1~6中的任意一项所述的断面加工观察方法,其中,
所述聚焦离子束的照射区域作为加工框显示在所述表面观察图像上。
8.根据权利要求1~7中的任意一项所述的断面加工观察方法,其中,
将用于进行所述断面观察的所述聚焦离子束的束电流切换为比用于形成所述断面的所述聚焦离子束的束电流小的束电流。
9.一种断面加工观察方法,通过基于聚焦离子束的蚀刻加工在试样上形成断面,使所述试样倾斜,通过基于所述聚焦离子束的断面观察而取得断面观察图像,该断面加工观察方法包括下述步骤:
在取得所述断面观察图像后使所述试样倾斜,向所述试样上的包含表示位置的标记和所述断面在内的区域照射所述聚焦离子束,取得表面观察图像;以及
在所述表面观察图像上识别所述标记的位置,以所述标记的位置为基准,设定用于对所述断面进行追加加工的所述聚焦离子束的照射区域,进行所述试样的蚀刻加工。
10.一种对试样进行加工的断面加工观察装置,所述断面加工观察装置具有:
聚焦离子束照射部;
载置试样的试样台;
使试样台倾斜的试样台倾斜部;
二次粒子检测部,其向所述试样照射所述聚焦离子束,检测从所述试样产生的二次粒子;
观察图像形成部,其根据来自所述二次粒子检测部的信号,形成观察图像;
显示部,其显示所述观察图像;以及
照射区域设定部,其以所述观察图像上的表示位置的标记的位置为基准,设定所述聚焦离子束的照射区域。
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