[发明专利]荧光体、其制备方法和发光装置

摘要

本发明提供荧光体以及制备这种荧光体的方法，所述荧光体是基本上由通式(A)：EuaSibAlcOdNe表示的二价铕-活化的氧氮化物荧光体、基本上由通式(B)：MIfEugSihAlkOmNn表示的二价铕-活化的氧氮化物荧光体或基本上由通式(C)：(MII1-pEup)MIIISiN3表示的二价铕-活化的氮化物荧光体，并且光发射在比峰值波长长的可见光波长区域中的反射率为95％以上；提供氮化物荧光体和氧氮化物荧光体和制备这样的荧光体的方法，使用这样的荧光体的发光装置，通过来自半导体发光器件的波长在430至480nm的光，它们有效率并且稳定地发光；以及，提供具有稳定特性并且实现高效率的发光装置。

主权项

一种荧光体，所述荧光体是基本上由通式(C)：(MII1‑pEup)MIIISiN3表示的二价铕‑活化的氮化物荧光体，其中在通式(C)中，MII是碱土金属元素，并且表示选自Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种元素，而MIII包含三价金属元素，并且表示选自Al、Ga、In、Sc、Y、La、Gd和Lu中的至少一种元素，并且满足0.001≤p≤0.05，所述荧光体是通过将覆盖有细粒二氧化硅的氮化铝与用于所述荧光体的材料混合而制备的，所述荧光体的光发射在比峰值波长长的可见光波长区域中的反射率为95％以上。