[发明专利]荧光体、其制备方法和发光装置

权利要求书

1.一种荧光体，所述荧光体是基本上由通式(C)：(MII_1-pEu_p)MIIISiN₃表示的二价铕-活化的氮化物荧光体，其中在通式(C)中，MII是碱土金属元素，并且表示选自Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种元素，而MIII包含三价金属元素，并且表示选自Al、Ga、In、Sc、Y、La、Gd和Lu中的至少一种元素，并且满足0.001≤p≤0.05，所述荧光体是通过将覆盖有细粒二氧化硅的氮化铝与用于所述荧光体的材料混合而制备的，所述荧光体的光发射在比峰值波长长的可见光波长区域中的反射率为95％以上。

2.根据权利要求1所述的荧光体，其中所述荧光体是基本上由通式(C)表示的二价铕-活化的氮化物荧光体，并且在通式(C)中，MIII是选自Al、Ga和In中的至少一种元素。

3.一种制备荧光体的方法，所述荧光体是基本上由通式(C)：(MII_1-pEu_p)MIIISiN₃表示的二价铕-活化的氮化物荧光体，其中在通式(C)中，MII是碱土金属元素，并且表示选自Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种元素，而MIII包含三价金属元素，并且表示选自Al、Ga、In、Sc、Y、La、Gd和Lu中的至少一种元素，并且满足0.001≤p≤0.05，所述荧光体的光发射在比峰值波长长的可见光波长区域中的反射率为95％以上，所述方法包括以下步骤：将覆盖有细粒二氧化硅的氮化铝与用于所述荧光体的材料混合。

4.根据权利要求3所述的制备荧光体的方法，其中覆盖氮化铝的所述二氧化硅的平均粒径为10至200nm，并且相对于氮化铝占0.01至15重量％。

5.根据权利要求3所述的制备荧光体的方法，其中在不使用机械研磨用装置的情况下，将用于所述荧光体的材料在惰性气氛中混合。

6.一种发光装置，包括发射初级光的发光器件和吸收部分所述初级光并且发射波长比所述初级光波长长的次级光的光转换器，其中所述光转换器至少包括红色-基发光荧光体，所述红色-基发光荧光体是基本上由通式(C)：(MII_1-pEu_p)MIIISiN₃表示的二价铕-活化的氮化物荧光体，其中在通式(C)中，MII是碱土金属元素，并且表示选自Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种元素，而MIII包含三价金属元素，并且表示选自Al、Ga、In、Sc、Y、La、Gd和Lu中的至少一种元素，并且满足0.001≤p≤0.05，所述红色-基发光荧光体是通过将覆盖有细粒二氧化硅的氮化铝与用于所述荧光体的材料混合而制备的，所述荧光体的光发射在比峰值波长长的可见光波长区域中的反射率为95％以上。

7.根据权利要求6所述的发光装置，其中作为所述红色-基发光荧光体，采用其中在通式(C)中MIII为选自Al、Ga和In中的至少一种元素的二价铕-活化的氮化物荧光体。

8.根据权利要求6所述的发光装置，其中所述发光器件是氮化镓-基半导体器件，并且来自所述发光器件的初级光的波长在430至480nm的范围内。