[发明专利]化学机械研磨方法和研磨设备无效
| 申请号： | 201010268615.4 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102380818A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 曾明;周祖源;孟昭生;汤舍予 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种化学机械研磨方法和研磨装置，该方法包括：在化学机械研磨设备的关键部件外表面设置薄膜层；采用所述化学机械研磨设备对半导体晶片进行化学机械研磨；去除所述薄膜层。本发明所提供的技术方案，在容易产生结晶的化学机械研磨设备的关键部件外表面设置薄膜层，在高速研磨的过程中，溅射的研浆挥发形成的结晶就会附着在薄膜层上，通过更换所述薄膜层，无需停止研磨喷水即可去除结晶，提高生产效率。同时，通过更换喷水管路喷洒不到的位置设置的薄膜层，可以去除通过现有技术的方案难以去除的结晶，减少结晶对半导体晶片的刮伤，提高研磨效果。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨方法，其特征在于，包括：在化学机械研磨设备的关键部件外表面设置薄膜层；采用所述化学机械研磨设备对半导体晶片进行化学机械研磨；去除所述薄膜层。
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