[发明专利]化学机械研磨方法和研磨设备无效
| 申请号： | 201010268615.4 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102380818A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 曾明;周祖源;孟昭生;汤舍予 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 方法 设备 | ||
1.一种化学机械研磨方法，其特征在于，包括：
在化学机械研磨设备的关键部件外表面设置薄膜层；
采用所述化学机械研磨设备对半导体晶片进行化学机械研磨；
去除所述薄膜层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述薄膜层，包括：
当所述薄膜层上存在的结晶量大于阀值时，去除所述薄膜层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述薄膜层，包括：
当所述薄膜层的实际使用时间大于预设的可使用时间时，去除所述薄膜层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学机械研磨设备的关键部件包括：研磨头、研磨头马达的外罩、研浆供给臂和研磨垫控制臂中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜层为热塑性弹性体橡胶薄膜层。
6.一种化学机械研磨设备，用于研磨半导体晶片，其特征在于：
所述化学机械研磨设备的关键部件的外表面设置有薄膜层。
7.根据权利要求6所述的化学机械研磨设备，其特征在于，所述化学机械研磨设备的关键部件包括：研磨头、研磨头马达的外罩、研浆供给臂和研磨垫控制臂中的一种或多种。
8.根据权利要求6所述的化学机械研磨设备，其特征在于，所述薄膜层为热塑性弹性体橡胶薄膜层。
9.根据权利要求6所述的化学机械研磨设备，其特征在于，所述薄膜层采用粘胶贴附于所述关键部件的外表面。
10.根据权利要求6所述的化学机械研磨设备，其特征在于，所述薄膜层具有斥水性和透水气性，并且具有抗酸碱性。
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