[发明专利]双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法

摘要

一种光伏发电技术领域的双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法。包括①采用碱溶液和酸溶液分别对P型单晶硅和多晶硅片进行表面预清洗和表面织构；②用三氯氧磷作为扩散源进行扩散形成PN结；③采用化学湿法去除硅片表面的磷硅玻璃，并采用等离子体将硅片边缘刻蚀；④采用等离子体增强化学汽相沉积方法在P型硅片的发射区表面制备氮化硅薄膜；⑤采用热丝化学气相沉积法制备氢化微晶硅和非晶硅的混合相薄膜材料，将薄膜沉积到P型硅片一侧，钝化P型硅表面的缺陷和悬挂键；⑥采用丝网印刷背面电极、丝网印刷正面电极，经过烧结后，形成太阳电池。本发明降低光生少数载流子在背表面复合的几率，提高电池的长波光量子效率，为光生载流子的输运和收集创造条件。

主权项

一种双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①采用碱溶液和酸溶液分别对P型单晶硅和多晶硅片进行表面预清洗和表面织构，使硅片表面清洁，而且在单晶硅表面形成金字塔结构在多晶硅表面形成的腐蚀坑；②用三氯氧磷作为扩散源进行扩散形成PN结；③采用化学湿法去除硅片表面的磷硅玻璃，并采用等离子体将硅片边缘刻蚀；④采用等离子体增强化学汽相沉积方法在N型硅上制备氮化硅薄膜作为电池的减反射膜和钝化膜；⑤采用热丝化学气相沉积法制备氢化微晶硅和非晶硅的混合相薄膜材料，将薄膜沉积到P型硅片一侧，钝化P型硅表面的缺陷和悬挂键；⑥采用丝网印刷背表面场、背面电极、丝网印刷正面电极，经过烧结后，形成太阳电池。