[发明专利]双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法

权利要求书

1.一种双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

①采用碱溶液和酸溶液分别对P型单晶硅和多晶硅片进行表面预清洗和表面织构，使硅片表面清洁，而且在单晶硅表面形成金字塔结构在多晶硅表面形成的腐蚀坑；

②用三氯氧磷作为扩散源进行扩散形成PN结；

③采用化学湿法去除硅片表面的磷硅玻璃，并采用等离子体将硅片边缘刻蚀；

④采用等离子体增强化学汽相沉积方法在N型硅上制备氮化硅薄膜作为电池的减反射膜和钝化膜；

⑤采用热丝化学气相沉积法制备氢化微晶硅和非晶硅的混合相薄膜材料，将薄膜沉积到P型硅片一侧，钝化P型硅表面的缺陷和悬挂键；

⑥采用丝网印刷背表面场、背面电极、丝网印刷正面电极，经过烧结后，形成太阳电池。

2.根据权利要求1所述的双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是，所述的碱溶液和酸溶液，碱溶液为NaOH，KOH；酸溶液为HNO₃，HF，HCl。

3.根据权利要求1所述的双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是，所述的所用硅片厚度200μm，面积125x125mm²准方片，电阻率1Ω·cm。

4.根据权利要求1所述的双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是，所述的表面预清洗和表面织构，用1-5％的酸溶液去除硅片表面的SiO₂层，对P型单晶硅片在浓度小于3％的碱溶液在80℃左右制备金字塔形状绒面，然后采用去离子水超声清洗，并吹干。

5.根据权利要求1所述的双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是，所述的扩散，是指：采用管式扩散炉，以氮气作为携源气体，在制绒后的p型单晶硅片上面扩散磷形成N型发射层，从而形成PN结。

6.根据权利要求1所述的双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是，所述的化学湿法为采用浓度低于5％的HF溶液。

7.根据权利要求1所述的双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是，所述的等离子体增强化学汽相沉积方法，是指：在硅片的发射区N型硅上，将硅烷和氨气的混合气体比1∶4条件下，沉积温度400-450℃，沉积约70-90nm厚的氢化氮化硅薄膜，作为电池前表面的键反射膜和钝化膜，该氢化微晶硅薄膜的光学禁带宽度为1.6-2.1eV，晶粒尺寸为30-80nm，晶态比为5-40％，混合相薄膜的生长速率为

8.根据权利要求1所述的双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是，所述的采用热丝化学气相沉积法，是指：P型硅片背表面，在硅烷和氢气气流比为55∶1，沉积气压10pa，衬底温度200℃的条件下，沉积厚度为70-90nm硅基薄膜，作为电池背表面的钝化膜。

9.根据权利要求1所述的双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是，所述的采用丝网印刷背面电极、丝网印刷正面电极，其中：丝网印刷背面电极为：采用丝网印刷工艺印刷背面铝浆形成背场和背电极；丝网印刷正面电极为：采用丝网印刷工艺印刷银浆形成正电极。

10.根据权利要求1所述的双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是，所述的烧结为：在链式烧结炉内进行烧结，烧结峰值温度约720-800℃，将金属电极和硅形成欧姆接触，最终完成太阳电池制备。