[发明专利]降低RF LDMOS器件源端电阻的接触柱的制备方法

摘要

本发明公开了一种降低RF LDMOS器件源端电阻的接触柱的制备方法，其通过第一次外延工艺代替原有的高能量高剂量离子注入形成接触柱的下端区，因该次外延生长在接触柱区形成的是单晶，因此给第二次外延生长提供完美的表面，达到工艺要求。

主权项

一种降低RF LDMOS器件源端电阻的接触柱的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在硅衬底上生长牺牲氧化层；2)用光刻工艺定义出接触柱区域；3)刻蚀去除所述接触柱区域的牺牲氧化层，形成孔；4)采用选择性外延工艺，在所述孔处进行第一次自掺杂外延生长，形成所述接触柱的下端区；5)去除所述牺牲氧化层，而后进行第二次外延生长，在所述硅衬底上形成外延层；6)对位于所述接触柱区域的外延层上端进行离子注入，形成上端注入区，所述上端注入区的掺杂离子类型与所述下端区的掺杂杂质类型相同；7)利用高温热处理工艺，使所述下端区和所述上端注入区导通，形成完整的接触柱。