[发明专利]降低RF LDMOS器件源端电阻的接触柱的制备方法

权利要求书

1.一种降低RF LDMOS器件源端电阻的接触柱的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)在硅衬底上生长牺牲氧化层；

2)用光刻工艺定义出接触柱区域；

3)刻蚀去除所述接触柱区域的牺牲氧化层，形成孔；

4)采用选择性外延工艺，在所述孔处进行第一次自掺杂外延生长，形成所述接触柱的下端区；

5)去除所述牺牲氧化层，而后进行第二次外延生长，在所述硅衬底上形成外延层；

6)对位于所述接触柱区域的外延层上端进行离子注入，形成上端注入区，所述上端注入区的掺杂离子类型与所述下端区的掺杂杂质类型相同；

7)利用高温热处理工艺，使所述下端区和所述上端注入区导通，形成完整的接触柱。

2.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤四中的选择性外延工艺替换为非选择性外延工艺，在所述孔处生长外延层，同时在牺牲氧化层上形成多晶硅层；之后采用CMP工艺去除所述牺牲氧化层上的多晶硅层。

3.按照权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述步骤四的选择性自掺杂外延工艺中，掺杂浓度为1×10¹⁸至5×10²⁰个原子/立方厘米。

4.按照权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述步骤四中的外延生长可为硅外延生长、锗硅外延生长或锗硅碳外延生长。

5.按照权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：步骤五中进行第二次外延生长之后，采用CMP工艺平整化处理外延层表面。

6.按照权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述步骤三中，刻蚀同时去除部分位于所述牺牲氧化层下的硅衬底，所述刻蚀深度为预先设定的。

7.按照权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤四的选择性自掺杂外延工艺中，掺杂浓度为1×10¹⁸至5×10²⁰个原子/立方厘米。

8.按照权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤四中的外延生长可为硅外延生长、锗硅外延生长或锗硅碳外延生长。

9.按照权利要求6所述的制备方法，其特征在于：步骤五中的去除牺牲氧化层之后，进行第二次外延生长之前，采用CMP工艺平整化处理硅表面。