[发明专利]降低外延工艺中自掺杂与外扩散的方法无效
| 申请号： | 201010265205.4 | 申请日： | 2010-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102376548A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 缪燕;谢烜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种降低外延工艺中自掺杂与外扩散的方法，在外延工艺之前，通过离子注入工艺在衬底中形成阻挡层，阻挡层的上表面与埋层的上表面为同一高度或更高。本发明可以显著降低衬底中有埋层的情况下进行外延工艺时，自掺杂和外扩散对外延层生长所带来的不利影响。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 外延 工艺 掺杂 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种降低外延工艺中自掺杂与外扩散的方法，其特征是，在外延工艺之前，通过离子注入工艺在衬底中形成阻挡层，阻挡层的上表面与埋层的上表面为同一高度或更高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
