[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201010265007.8 | 申请日： | 2010-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102005474A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 铃木健司;友松佳史 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/41;H01L21/60;H01L23/528;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。在n型Si衬底(10)上形成有多个IGBT单元(24)。各个IGBT单元(24)具有栅极电极(46)和第一发射极电极(54)。下层栅极布线(14)在n型Si衬底(10)上形成，连接于栅极电极(46)。层间绝缘膜(66)覆盖第一发射极电极(54)及下层栅极布线(14)。第二发射极电极(20)在层间绝缘膜(66)上形成，经由层间绝缘膜(66)的开口连接于第一发射极电极(54)。第二发射极电极(20)隔着层间绝缘膜(66)在下层栅极布线(14)的上方延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体衬底；多个IGBT单元，在所述半导体衬底上形成，分别具有栅极电极和第一发射极电极；第一栅极布线，在所述半导体衬底上形成，连接于所述栅极电极；层间绝缘膜，覆盖所述第一发射极电极和所述第一栅极布线；以及第二发射极电极，在所述层间绝缘膜上形成，经由所述层间绝缘膜的开口连接于所述第一发射极电极，其中，所述第二发射极电极隔着所述层间绝缘膜在所述第一栅极布线的上方延伸。
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