[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体衬底；

多个IGBT单元，在所述半导体衬底上形成，分别具有栅极电极和第一发射极电极；

第一栅极布线，在所述半导体衬底上形成，连接于所述栅极电极；

层间绝缘膜，覆盖所述第一发射极电极和所述第一栅极布线；以及

第二发射极电极，在所述层间绝缘膜上形成，经由所述层间绝缘膜的开口连接于所述第一发射极电极，其中，

所述第二发射极电极隔着所述层间绝缘膜在所述第一栅极布线的上方延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

第二栅极布线，在所述半导体衬底上形成，连接于所述栅极电极，被所述层间绝缘膜覆盖；以及

第三栅极布线，在所述层间绝缘膜上形成，经由所述层间绝缘膜的开口连接于所述第二栅极布线，其中，

所述第三栅极布线的宽度比所述第二栅极布线的宽度宽。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二栅极布线和所述第三栅极布线在所述半导体衬底上配置在所述第二发射极电极的外侧。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二栅极布线和所述第三栅极布线在所述半导体衬底上配置在所述第二发射极电极的中央。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的半导体装置，其特征在于，还具备：第三发射极电极，其在所述第二发射极电极上形成，并具有Ni。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述第三发射极电极具有：从所述第二发射极电极侧起依次形成的Ti膜、Ni膜和Au膜。

7.根据权利要求1～4的任一项所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

第一场板电极，在所述半导体衬底上的终端区域中形成，被所述层间绝缘膜覆盖；以及

第二场板电极，在所述层间绝缘膜上形成，经由所述层间绝缘膜的开口连接于所述第一场板电极。

8.根据权利要求1～4的任一项所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

多个第一场板电极，在所述半导体衬底上的终端区域中相互离开而形成，被所述层间绝缘膜覆盖；以及

多个第二场板电极，在所述层间绝缘膜上形成，配置在邻接的所述第一场板电极之间的区域上。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述第一场板电极比所述第二场板电极薄。

10.根据权利要求7的任一项所述的半导体装置，其特征在于，还具备：保护膜，覆盖所述第二场板电极。

11.一种半导体装置的制造方法，制造权利要求2～4的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在同一工序中形成所述第一发射极电极、所述第一栅极布线及所述第二栅极布线，

在同一工序中形成所述第二发射极电极及所述第三栅极布线。

12.一种半导体装置的制造方法，制造权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

在同一工序中形成所述第一发射极电极、所述第一栅极布线及所述第一场板电极，

在同一工序中形成所述第二发射极电极及所述第二场板电极。