[发明专利]一种半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201010264536.6 | 申请日： | 2010-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102376633A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;梁擎擎;骆志炯;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，所述结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底上包括器件结构；形成于所述器件结构上的层间介质层，所述层间介质层中有沟槽，所述沟槽包括一体成型的通孔槽和导电连线槽，所述导电连线槽位于通孔槽之上；填充于所述沟槽的导电层，所述导电层与所述器件结构电连接；其中，所述导电层中包括导电材料和被所述导电材料包围的纳米管/线层。所述结构的导电层具有好的导热性、导电性及高抗电迁移率，能够有效阻挡金属离子向外扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述衬底上包括器件结构；在所述器件结构上形成层间介质层，以及图形化所述层间介质层以形成沟槽，所述沟槽包括一体成型的通孔槽和导电连线槽，所述导电连线槽位于通孔槽之上；在所述沟槽内形成填满所述沟槽的导电层，所述导电层与所述器件结构电连接；其中，所述导电层中包括导电材料和被所述导电材料包围的纳米管/线层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
