[发明专利]TiO2纳米线阵列薄膜光阳极及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010264000.4 申请日: 2010-08-25
公开(公告)号: CN101976611A 公开(公告)日: 2011-02-16
发明(设计)人: 魏爱香;葛增娴;刘俊;赵旺 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: H01G9/048 分类号: H01G9/048;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/44;H01L51/48
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 林丽明
地址: 510006 广东省广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种TiO2纳米线阵列薄膜光阳极及其制备方法,光阳极的结构由普通玻璃、掺F的SnO2透明导电膜和TiO2纳米线阵列薄膜组成;制备方法是采用水热合成技术,以浓盐酸、去离子水和钛酸丁酯的混合物为反应前驱体,直接在FTO玻璃衬底上合成TiO2纳米线阵列薄膜作为染料敏化太阳能电池的光阳极;通过改变反应前驱体中浓盐酸和去离子水的比例以及钛酸丁酯的浓度,可以控制纳米线的直径和密度;通过改变反应时间,可以控制TiO2纳米线的长度;利用TiO2纳米线更高的光利用率和良好的电子转移特性,保障了电极具有较高的光捕获效率,提高了光生载流子的输运能力,减少了光生载流子的复合过程,从而提高染料敏化太阳能电池的光电转化效率。
搜索关键词: tio sub 纳米 阵列 薄膜 阳极 及其 制备 方法
【主权项】:
一种TiO2纳米线阵列薄膜光阳极,其特征在于:其结构由普通玻璃、掺F的SnO2透明导电膜和TiO2纳米线阵列薄膜组成;第1层为普通玻璃,第2层为掺F的SnO2透明导电膜,第3层为TiO2纳米线阵列薄膜。
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