[发明专利]非易失性存储器件的制造方法无效
| 申请号： | 201010263544.9 | 申请日： | 2010-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102013454A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 山岸肇;庄子光治;田渕清隆 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L45/00;H01L27/22;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 武玉琴;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及非易失性存储器件的制造方法。该非易失性存储器件具有第一磁性材料层、隧道绝缘膜和第二磁性材料层依次层叠的层叠结构，当电阻值随磁化反转状态变化时，信息被存储在该非易失性存储器件中，该制造方法包括以下步骤：依次形成所述第一磁性材料层、所述隧道绝缘膜和所述第二磁性材料层；在所述第二磁性材料层上形成掩模层；氧化未被所述掩模层覆盖的所述第二磁性材料层的部分；以及还原所述第二磁性材料层的氧化部分。该制造方法能够提供具有高性能和长期稳定性的非易失性存储器件。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件的制造方法，该非易失性存储器件具有第一磁性材料层、隧道绝缘膜和第二磁性材料层依次层叠的层叠结构，当电阻值随磁化反转状态变化时，信息被存储在该非易失性存储器件中，该制造方法包括以下步骤：依次形成所述第一磁性材料层、所述隧道绝缘膜和所述第二磁性材料层；在所述第二磁性材料层上形成掩模层；氧化未被所述掩模层覆盖的所述第二磁性材料层的部分；以及还原所述第二磁性材料层的氧化部分。
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