[发明专利]非易失性存储器件的制造方法无效
| 申请号： | 201010263544.9 | 申请日： | 2010-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102013454A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 山岸肇;庄子光治;田渕清隆 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L45/00;H01L27/22;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 武玉琴;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 制造 方法 | ||
1.一种非易失性存储器件的制造方法，该非易失性存储器件具有第一磁性材料层、隧道绝缘膜和第二磁性材料层依次层叠的层叠结构，当电阻值随磁化反转状态变化时，信息被存储在该非易失性存储器件中，该制造方法包括以下步骤：
依次形成所述第一磁性材料层、所述隧道绝缘膜和所述第二磁性材料层；
在所述第二磁性材料层上形成掩模层；
氧化未被所述掩模层覆盖的所述第二磁性材料层的部分；以及
还原所述第二磁性材料层的氧化部分。
2.如权利要求1所述的非易失性存储器件的制造方法，其中，在所述第二磁性材料层上形成所述掩模层之后，并且在氧化未被所述掩模层覆盖的所述第二磁性材料层的所述部分之前，在厚度方向上蚀刻未被所述掩模层覆盖的所述第二磁性材料层的所述部分的一部分。
3.如权利要求1所述的非易失性存储器件的制造方法，其中，所述第一磁性材料层包括磁化基准层，所述第二磁性材料层包括记录层。
4.如权利要求1所述的非易失性存储器件的制造方法，其中，所述第一磁性材料层包括记录层，所述第二磁性材料层包括磁化基准层。
5.如权利要求1所述的非易失性存储器件的制造方法，其中，基于等离子体氧化法、热氧化法或自由基氧化法氧化未被所述掩模层覆盖的所述第二磁性材料层的所述部分。
6.如权利要求1所述的非易失性存储器件的制造方法，其中，基于氢等离子体法还原所述第二磁性材料层的所述氧化部分。
7.一种非易失性存储器件的制造方法，当电阻变化层的电阻值变化时，信息被存储在该非易失性存储器件中，该制造方法包括以下步骤：
在所述电阻变化层上形成掩模层；
氧化未被所述掩模层覆盖的所述电阻变化层的部分；以及
还原所述电阻变化层的氧化部分。
8.如权利要求7所述的非易失性存储器件的制造方法，其中，所述电阻变化层包括含金属的离子导电体。
9.如权利要求7所述的非易失性存储器件的制造方法，其中，所述电阻变化层包括硫族材料。
10.如权利要求7所述的非易失性存储器件的制造方法，其中，所述电阻变化层包括具有巨电致电阻效应的材料。
11.如权利要求10所述的非易失性存储器件的制造方法，其中，所述电阻变化层包括含钙钛矿的材料。
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