[发明专利]半导体器件结构及制作该半导体器件结构的方法无效
| 申请号： | 201010263270.3 | 申请日： | 2010-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102376754A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;谢栒 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件结构及制作该半导体器件结构的方法。半导体器件结构包括：前端器件层结构；紫外光屏蔽层，所述紫外光屏蔽层形成在所述前端器件层结构的表面；和应力层，所述应力层形成在所述紫外光屏蔽层的上方。制作半导体器件结构的方法包括：提供前端器件层结构；b)在所述前端器件层结构的表面形成紫外光屏蔽层；和c)在所述紫外光屏蔽层的上方形成应力层。本发明的半导体器件结构可以避免紫外线照射产生的光子进入栅氧化层，从而避免了栅氧化层中产生电子空穴，从而改善了半导体器件的质量；其次，本发明的制作半导体器件结构的方法简单、易行，能够有效地避免紫外光子对栅氧化层的损害，从而保证了器件的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 制作 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括：前端器件层结构；紫外光屏蔽层，所述紫外光屏蔽层形成在所述前端器件层结构的表面；以及应力层，所述应力层形成在所述紫外光屏蔽层的上方。
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